概述
规格参数
数据手册APT10M11JVRU3 概述
ISOTOP Buck chopper MOSFET Power Module ISOTOP降压斩波MOSFET功率模块 功率场效应晶体管
APT10M11JVRU3 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 142 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 576 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
APT10M11JVRU3 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| APT10M11JVRU3-Module | MICROCHIP | MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery ruggedKe | 获取价格 |
|
| APT10M11LVFR | ADPOW | High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET | 获取价格 |
|
| APT10M11LVFRG | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | 获取价格 |
|
| APT10M11LVR | ADPOW | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs | 获取价格 |
|
| APT10M11LVRG | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, | 获取价格 |
|
| APT10M13JNR | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D) | 获取价格 |
|
| APT10M15JNR | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 140A I(D) | 获取价格 |
|
| APT10M19BVFR | ADPOW | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | 获取价格 |
|
| APT10M19BVFRG | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 获取价格 |
|
| APT10M19BVFR_04 | ADPOW | POWER MOS V FREDFET | 获取价格 |
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