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M61515FP  M62004L  M61314SP  M61116PFSN  M6111FJFSN  M6111FHTSN  M61116JFSN  M6112FKTSN  M611X  M62003P  
APTM10HM05F 全 - 桥式MOSFET功率模块 (Full - Bridge MOSFET Power Module)
.型号:   APTM10HM05F
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描述: 全 - 桥式MOSFET功率模块
Full - Bridge MOSFET Power Module
文件大小 :   303 K    
页数 : 6 页
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品牌   ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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100%
APTM10HM05F
全 - 桥
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
Q3
V
DSS
= 100V
R
DSON
= 4.5mΩ典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 278A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS V
®
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
低调
G1
OUT1
OUT2
G3
S1
Q2
S3
Q4
G2
G4
S2
0/VBUS
S4
OUT1
G1
S1
VBUS
0/VBUS
G2
S2
S3
G3
OUT2
S4
G4
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-6
APTM10HM05F-版本0 2005年5月
T
c
= 25°C
最大额定值
100
278
207
1100
±30
5
780
100
50
3000
单位
V
A
V
mΩ
W
A
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