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APTM20HM08F
全 - 桥
MOSFET功率模块
V
DSS
= 200V
R
DSON
= 8MW最大@ TJ = 25°C
I
D
= 208A @ T C = 25°C
应用
·
·
·
·
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
·
功率MOS 7
®
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
·
·
OUT1
G1
S1
VBUS
0/VBUS
G2
S2
·
好处
S3
G3
OUT2
S4
G4
·
·
·
·
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
低调
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
200
208
155
832
±30
8
781
100
50
3000
单位
V
A
V
mW
W
A
mJ
APTM20HM08F-版本1
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
2004年5月
APTM20HM08F
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 375µA
V
GS
= 0V,V
DS
= 200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 160V
200
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3
典型值
最大
375
1500
8
5
±150
单位
V
µA
mW
V
nA
V
GS
= 10V ,我
D
= 104A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 208A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A
R
G
= 2.5W
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A ,R
G
= 2.5Ω
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 208A ,R
G
= 2.5Ω
典型值
14.4
4.6
0.3
280
106
134
32
64
88
116
1698
1858
1872
1972
µJ
µJ
ns
最大
单位
nF
nC
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
(体二极管)
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
w
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时,我
S
= - 208A
I
S
= -208A
V
R
= 133V
di
S
/ DT = 200A / μs的
I
S
= -208A
V
R
= 133V
di
S
/ DT = 200A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.8
6.8
典型值
最大
208
155
1.3
5
230
450
单位
A
V
V / ns的
ns
µC
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2–6
APTM20HM08F-版本1
u
E
on
包括二极管的反向恢复。
v
按照JEDEC标准JESD24-1 。
w
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
V
R
£
V
DSS
T
j
£
150°C
I
S
£
- 208A的di / dt
£
700A/µs
2004年5月
APTM20HM08F
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.16
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
包装外形
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3–6
APTM20HM08F-版本1
2004年5月
APTM20HM08F
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.18
热阻抗( ℃/ W)
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.9
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间(秒)
低电压输出特性
V
GS
=15V
700
600
I
D
,漏电流( A)
500
400
300
200
100
0
Transfert特点
600
I
D
,漏电流( A)
500
400
300
200
100
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
V
DS
& GT ;我
D
(上) xR的
DS
(上)最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
10V
9V
8.5V
8V
7.5V
7V
6.5V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
V
DS
,漏源极电压( V)
R
DS ( ON)
VS漏电流
1.2
I
D
,直流漏电流( A)
归一
V
GS
= 10V @ 104A
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
GS
,门源电压( V)
R
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
直流漏电流与外壳温度
250
200
150
100
50
0
1.1
1
V
GS
=10V
V
GS
=20V
0.9
0.8
0
50
100
150
200
250
300
I
D
,漏电流( A)
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
2004年5月
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4–6
APTM20HM08F-版本1
APTM20HM08F
RDS ( ON) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
I
D
,漏电流( A)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
100000
C,电容(pF )
西塞
10000
科斯
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
R
DSON
V
GS
=10V
I
D
= 104A
1000
100µs
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
10ms
100ms
V
GS
,门源电压( V)
栅极电荷VS门源电压
14
I
D
=208A
V
DS
=40V
12
T
J
=25°C
10
8
6
4
2
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷( NC)
V
DS
=100V
V
DS
=160V
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
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APTM20HM08F-版本1
2004年5月
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