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3通道,低噪声,低功耗, 16位/ 24位
∑-Δ
ADC具有片上仪表放大器和基准
AD7792/AD7793
特点
截至23位有效分辨率
RMS噪声
40纳伏@ 4.17赫兹
85纳伏@ 16.7赫兹
电流: 400 μA的典型
省电: 1 μA最大
低噪声可编程增益仪表放大器
与4ppm的带隙基准电压/ °C典型漂移
更新速率: 4.17 Hz至470 Hz的
3差分输入
内部时钟振荡器
同时50赫兹/ 60 Hz抑制
可编程电流源
片上的偏置电压发生器
熔断电流
电源: 2.7 V至5.25 V
-40 ° C至+ 105 °C温度范围
独立接口供电
16引脚TSSOP封装
接口
3线串行
SPI® , QSPI ™ , MICROWIRE ™和DSP兼容
在SCLK施密特触发器
GND
功能框图
AV
DD
REFIN (+)/ AIN3 (+) REFIN ( - ) / AIN3 ( - )
V
BIAS
AV
DD
AIN1(+)
AIN1(–)
AIN2(+)
AIN2(–)
带隙
参考
GND
DOUT / RDY
DIN
SCLK
CS
DV
DD
MUX
BUF
仪表放大器
Σ-Δ
ADC
串行
接口
控制
逻辑
AV
DD
GND
IOUT1
IOUT2
CLK
国内
时钟
AD7792 : 16位
AD7793 : 24位
图1 。
概述
在AD7792 / AD7793是低功耗,低噪声,完整
对于高精密测量应用的模拟前端。
在AD7792 / AD7793内置一个低噪声16位/ 24位Σ- Δ型ADC
有三个差分模拟输入。片上,低噪声
仪表放大器,小型扩增的信号
突地可直接输入到ADC。用增益
64设置,均方根噪声为40 nV当更新速率
为4.17 Hz 。
该器件内置一个精密低噪声,低漂移内部
带隙基准,可以接受外部差分
参考。其他片上功能包括可编程
激励电流源,熔断电流控制和偏置电压
发电机。偏置电压产生器设定共模
一个信道为AV电压
DD
/2.
该设备可以是内部时钟或一个被操作
外部时钟。从部件的输出数据速率是软件 -
可编程的,并且可以改变从4.17 Hz至470 Hz的。
这些器件的电源电压工作范围为2.7 V至5.25 V
他们消耗400 μA的电流典型,并装在一个
16引脚TSSOP封装。
应用
热电偶测量
RTD测量
热敏电阻测量
气体分析
工业过程控制
仪器仪表
便携式仪表
血液分析
智能变送器
液体/气体色谱法
6位DVM
版本B
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04855-001
AD7792/AD7793
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 6
时序图................................................ .......................... 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ .................................. 8
引脚配置和功能说明............................. 9
输出噪声和分辨率规格.............................. 11
外部参考................................................ ...................... 11
内部基准................................................ ...................... 12
典型性能特征........................................... 13
片内寄存器.............................................. ............................ 14
通信寄存器................................................ ......... 14
状态寄存器................................................ ............................. 15
模式寄存器................................................ ............................. 15
配置寄存器................................................ .............. 17
数据寄存器................................................ ............................... 18
ID寄存器................................................ ................................... 18
IO登记................................................ ................................... 18
偏移寄存器................................................ ............................ 19
满量程注册.............................................. ........................ 19
ADC电路信息............................................... ............... 20
概述................................................. .................................... 20
数字接口................................................ .......................... 21
电路说明................................................ ......................... 24
模拟量输入通道............................................... ................ 24
仪表放大器................................................ ........ 24
双极性/单极性配置.............................................. 24
数据输出编码............................................... ................... 24
熔断电流................................................ ....................... 25
励磁电流................................................ .................... 25
偏置电压产生............................................... ............... 25
参考................................................. .................................... 25
复位................................................. ............................................ 25
AV
DD
监控................................................. ............................ 26
校准................................................. .................................. 26
接地和布局............................................... ............... 26
应用信息................................................ .............. 28
使用热电偶............... 28测温
使用RTD .............................. 29测温
外形尺寸................................................ ....................... 30
订购指南................................................ .......................... 30
修订历史
3月7日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
改变功能框图........................................... 1
更改规格第.............................................. 3 ....
更改规格尾注1 .............................................五
变为表5,表6和表7 ..................................... 11
变化表8,表9 ,表10 ................................... 12
更改表16 .............................................. .......................... 16
更改概述部分.............................................. ......... 20
改名申请组到应用信息... 29
更改订购指南.............................................. ............ 30
4月5日 - 修订版。 0到版本A
更改绝对最大额定值........................................ 8
图17 ..............................................变化......................... 22
更改数据输出编码部分..................................... 24
更改校准部分.............................................. ....... 26
更改订购指南.............................................. ............. 30
10月4日 - 修订版0 :初始版
版本B |第32 2
AD7792/AD7793
特定网络阳离子
AV
DD
= 2.7 V至5.25 V ; DV
DD
= 2.7 V至5.25 V ; GND = 0 V ;所有规格牛逼
给T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
ADC通道
输出更新速率
无失码
2
决议
输出噪声和更新价格
积分非线性
偏移误差
3
失调误差漂移与温度的关系
4
满量程误差
3, 5
增益随温度漂移
4
电源抑制
模拟输入
差分输入电压范围
绝对AIN电压限制
2
无缓冲模式
缓冲模式
仪表放大器有源
共模电压,V
CM
模拟输入电流
缓冲模式下或仪表放大器的有源
平均输入电流
2
平均输入电流漂移
无缓冲模式
平均输入电流
平均输入电流漂移
正常模式抑制
2
内部时钟
@ 50赫兹, 60赫兹
@ 50 Hz的
@ 60 Hz的
外部时钟
@ 50赫兹, 60赫兹
@ 50 Hz的
@ 60 Hz的
共模抑制
@ DC
@ 50赫兹, 60赫兹
2
@ 50赫兹, 60赫兹
2
AD7792B/AD7793B
1
4.17到470
24
16
单位
赫兹NOM
比特分
比特分
测试条件/评论
f
ADC
< 242赫兹, AD7793
AD7792
见输出噪声和分辨率规格
见输出噪声和分辨率规格
±15
±1
±10
±10
±1
±3
100
±V
REF
/ GAIN
PPM FSR最大的
μV (典型值)
内华达州/ ℃的典型值
μV (典型值)
PPM /°C的典型值
PPM /°C的典型值
分贝分钟
V NOM
增益= 1至16,外部基准
增益= 32至128 ,外部参考
AIN = 1V /增益,增益≥ 4 ,外部参考
V
REF
= REFIN ( + )
REFIN ( - )或内部参考,
增益= 1至128
增益= 1或2的
增益= 1或2的
增益= 4 128
V
CM
= ( AIN(+ )+ AIN( - ))/ 2 ,增益= 4 128
GND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
GND + 100 mV的
AV
DD
= 100 mV的
GND + 300 mV的
AV
DD
– 1.1
0.5
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
±1
±250
±2
±400
±50
nA的最大
pA的最大
PA / ℃的典型值
NA / V (典型值)
PA / V /°C的典型值
增益= 1或2 ,更新速率< 100赫兹
增益= 4 128个,更新率< 100赫兹
增益= 1或2 。
输入电流随输入电压
65
80
90
80
94
90
100
100
100
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
80分贝典型值, 50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
90分贝典型值, 50±1赫兹,FS [3:0 ] = 1001
6
百分贝典型值, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1000
6
90分贝典型值, 50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
百分贝典型值, 50±1赫兹,FS [3:0 ] = 1001
6
百分贝典型值, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1000
6
AIN = 1 V /增益,增益≥ 4
50±1赫兹, 60 ±1赫兹, FS [ 3:0] = 1010
6
50±1赫兹(FS [3:0 ] = 1001)
6
, 60 ± 1赫兹
(FS [3:0 ] = 1000)
6
版本B |第32 3
AD7792/AD7793
参数
参考
内部参考
内部基准初始精度
内部参考电压漂移
2
电源抑制
外部参考
外部REFIN电压
参考电压范围
2
AD7792B/AD7793B
1
单位
测试条件/评论
1.17 ± 0.01%
4
15
85
2.5
0.1
AV
DD
GND
30毫伏
AV
DD
+ 30毫伏
400
±0.03
一样的模拟输入
100
V最小/最大
PPM /°C的典型值
PPM / ° C最大值
dB典型值
V NOM
V分钟
V最大
V分钟
V最大
NA / V (典型值)
NA / V /°C的典型值
AV
DD
= 4 V,T
A
= 25°C
REFIN = REFIN ( + )
REFIN ( - )
当V
REF
= AV
DD
中,差分输入必须
限于0.9 ×V
REF
/如果增益仪表放大器活跃
绝对REFIN电压限制
2
平均参考输入电流
平均参考输入电流
漂移
正常模式抑制
共模抑制
激励电流源
( IEXC1和IEXC2 )
输出电流
在25 ° C初始容差
漂移
电流匹配
漂移匹配
线路调整率(V
DD
)
负载调整率
输出合规
dB典型值
10/210/1000
±5
200
±0.5
50
2
0.2
AV
DD
0.65
AV
DD
1.1
GND
30毫伏
±2
0.81
AV
DD
/2
见图10
μA NOM
% (典型值)
PPM /°C的典型值
% (典型值)
PPM /°C的典型值
% / V (典型值)
% / V (典型值)
V最大
V最大
V分钟
℃,典型值
毫伏/°C的典型值
V NOM
MS / NF (典型值)
IEXC1和IEXC2之间的匹配; V
OUT
= 0 V
AV
DD
= 5 V ± 5%
10 μA和210 μA的电流选择
选择1毫安电流
温度传感器
准确性
灵敏度
偏置电压产生器
V
BIAS
V
BIAS
发电机启动时间
内部/外部时钟
内部时钟
频率
2
占空比
外部时钟
频率
适用于如果用户校准的温度
传感器
依赖于AIN引脚的电容
64 ± 3%
50:50
64
千赫最小/最大
% (典型值)
千赫NOM
128 kHz的外部时钟,如果使用
除以2的功能是用来
(位= CLK1 CLK0 = 1 )
适用于外部64 kHz时钟; 128千赫
时钟可以具有较不严格的占空比
占空比
逻辑输入
CS
2
45:55至55:45
% (典型值)
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
0.8
0.4
2.0
V最大
V最大
V分钟
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V或5 V
版本B |第32 4
AD7792/AD7793
参数
SCLK , CLK和DIN (施密特
触发输入)
2
V
T
(+)
V
T
(–)
V
T
(+)
V
T
(−)
V
T
(+)
V
T
(–)
V
T
(+)
V
T
(−)
输入电流
输入电容
逻辑输出(包括CLK )
V
OH
,输出电压高
2
V
OL
,输出低电压
2
V
OH
,输出电压高
2
V
OL
,输出低电压
2
浮态泄漏电流
浮态输出电容
数据输出编码
系统校准
2
满量程校准极限
零刻度校准极限
输入范围
电源要求
7
电源电压
AV
DD
to
GND
DV
DD
to
GND
电源电流
I
DD
当前
AD7792B/AD7793B
1
单位
测试条件/评论
1.4/2
0.8/1.7
0.1/0.17
0.9/2
0.4/1.35
0.06/0.13
±10
10
DV
DD
0.6
0.4
4
0.4
±10
10
偏移二进制码
1.05 × FS
−1.05
= FS
0.8 × FS
2.1 × FS
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
μA(最大值)
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 5 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V
DV
DD
= 3 V
V
IN
æ DV
DD
或GND
所有数字输入
DV
DD
= 3 V,I
来源
= 100 μA
DV
DD
= 3 V,I
SINK
= 100 μA
DV
DD
= 5 V,I
来源
= 200 μA
DV
DD
= 5 V,I
SINK
= 1.6 MA( DOUT / RDY ) / 800 μA
(CLK)
V最大
V分钟
V分钟
V最大
2.7/5.25
2.7/5.25
140
185
400
500
V最小/最大
V最小/最大
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
μA(最大值)
110 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 125 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
非缓冲模式下,外部参考
130 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 165 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
缓冲模式下,增益= 1或2 ,外部基准
300 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 350 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ,外部参考
400 μA (典型值) @ AV
DD
= 3 V , 450 μA (典型值) @ AV
DD
= 5 V,
增益= 4 128 ,内部参考
I
DD
(省电模式)
1
1
温度范围为-40 ° C至+ 105°C 。在19.6赫兹和39.2 Hz的更新速率, INL ,电源抑制( PSR ) ,共模抑制( CMR ) ,而正常
模抑制( NMR )不符合数据表规范,如果在AIN ( + )或AIN电压( - )引脚超出AV
DD
- 16 V典型。当该电压被超过时,
的INL ,例如,降低至18 ppm的FS的典型的,同时对PSR减小到69分贝典型。因此,保证了性能这些更新速率,
模拟输入引脚的绝对电压必须低于AV
DD
− 1.6 V.
2
规格未经生产测试,但支持产品初始发布时的特性数据。
3
以下的校准,这种错误是在噪声对选定的编程增益和更新速率的顺序。
4
校准在任何温度下去除这些误差。
5
满量程误差适用于正反两方面的全面应用,并在出厂时校准条件( AV
DD
= 4 V,增益= 1 ,T
A
= 25°C).
6
FS [ 3:0]是在模式寄存器用来选择输出字速率的4比特。
7
数字输入等于DV
DD
或GND与激励电流和偏置电压发生器禁用。
版本B |第32个5
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