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a
特点
FET输入放大器
1 pA的典型输入偏置电流
非常低的成本
高速
80 MHz的-3 dB带宽(G = 1 )
80 V / s的压摆率(G = + 2 )
低噪音
11内华达州/
Hz
( F = 100千赫)
0.6 FA /
Hz
( F = 100千赫)
宽电源电压范围
5 V至24 V
低失调电压, 1 mV的典型
单电源和轨到轨输出
高共模抑制比-100分贝
低功耗
3.3毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小包装
SOIC - 8 , SOT- 23-8 ,以及SC70
应用
仪器仪表
过滤器
电平转换
缓冲
24
低成本, 80 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8033/AD8034
连接图
SOIC-8 (R)的
AD8033
SC70 ( KS )
AD8033
NC
1
✱In
2
+ IN
3
–V
S 4
8
NC
7
+V
S
6
5
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
5
+V
S
V
OUT
NC
4
✱In
SOIC -8和SOT- 23-8 ( RT )
AD8034
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
概述
G = +10
21
18
G = +5
15
12
增益 - 分贝
V
O
= 200mV的P-P
在AD8033 / AD8034 FastFET放大器电压反馈
放大器,具有FET输入,提供易用性和出色的中
性能。的AD8033是一个单一的放大器和
AD8034是一款双通道放大器。在AD8033 / AD8034 FastFET
运算放大器ADI公司的专有XFCB工艺提供显著
性能改进和其他低成本的FET放大器,如
低噪音( 11内华达州/
Hz
0.6 FA /
赫兹)
和高速(80兆赫
带宽和80 V / μs压摆率) 。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ,充分
操作上单电源供电时, AD8033 / AD8034放大器
将工作在比同等价位的FET更多应用
输入放大器。此外, AD8033 / AD8034具有轨至轨
产出增加了多功能性。
尽管他们的成本低,该放大器可提供出色的整体
性能。他们提供高共模抑制
-100分贝2毫伏最大值,低输入偏置电压,低噪声
11内华达州/
赫兹。
在AD8033 / AD8034放大器只能得出3.3毫安/放大器
静态电流,同时具有提供高达的能力
40毫安负载电流。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
9
6
3
G = +2
G = +1
0
–3
G = –1
–6
–9
0.01
1.0
10
频率 - 兆赫
100
1000
图1.小信号频率响应
该AD8033是小封装: SOIC -8和SC70封装。
该AD8034还小封装: SOIC -8和
SOT- 23-8 。它们的额定工作在工业级温度
避免过度商业化的溢价范围为-40° C至+ 85°C
级产品。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
© 2003 ADI公司保留所有权利。
AD8033/AD8034–SPECIFICATIONS
(T = 25℃ ,V =
A
S
5 V ,R
L
= 1千,增益= 2 ,除非另有说明。 )
典型值
80
30
21
135
135
80
95
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
-6 V至6 V的输入
-3 V至+3 V输入, G = 2
G = 2 ,V
O
= 4 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
G = 2 ,V
O
= 8 V步
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
F = 1MHz时, G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
– T
最大
65
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率( 25 %〜75 % )
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
串扰,输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
55
–82
–85
–70
–81
–86
11
0.7
1
2
3.5
2.5
27
11
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
µV/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
– T
最大
V
O
=
±
3 V
89
4
1.5
50
92
1000||2.3
1000||1.7
-5.0到+2.2
-5.0到+5.0
–100
±
4.95
40
35
V
CM
= ( -3 V至+1.5 V)
–89
±
4.75
30%的过冲,G = 1 ,
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
5
V
S
=
±
2 V
–90
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
–2–
版本B
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
(T = 25℃ ,V = 5 V ,R = 1 K
A
S
L
,增益= 2 ,除非另有说明。 )
典型值
80
32
21
180
200
70
100
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率( 25 %〜75 % )
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声,输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P
70
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
-3 V至+3 V输入
-1.5 V至1.5 V输入, G = 2
55
G = 2 ,V
O
= 4 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
F = 1MHz时, G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
– T
最大
–80
–84
–70
–80
–86
11
0.7
1
2.0
3.5
2.5
30
10
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
µV/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
– T
最大
V
O
= 0 V至3 V
87
4
1
50
92
1000||2.3
1000||1.7
0-2.0
0-5.0
–100
0.04〜 4.95
30
25
V
CM
= 1.0 V至2.5伏
R
L
= 1 kΩ
30%的过冲,G = 1 ,
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
–80
0.16至4.83
5
V
S
=
±
1 V
–80
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
版本B
–3–
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
参数
动态性能
-3 dB带宽
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率( 25 %〜75 % )
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声,输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
(T
A
= 25℃ ,V
S
=
12 V ,R
L
= 1千,增益= 2 ,除非另有说明。 )
条件
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
-13 V至+13 V的输入
-6.5 V至6.5 V输入, G = 2
G = 2 ,V
O
= 4 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
G = 2 ,V
O
= 10 V步骤
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 500
R
L
= 1 kΩ
F = 1MHz时, G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
– T
最大
65
典型值
80
30
21
100
100
80
90
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
55
–80
–82
–70
–82
–86
11
0.7
1
4
2
50
96
1000||2.3
1000||1.7
-12.0至9.0
-12.0至12.0
–100
±
11.84
60
35
24
3.5
2.0
3.5
2.5
24
12
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
µV/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
V
mA
dB
T
– T
最大
V
O
=
±
8 V
88
V
CM
=
±
5 V
–92
±
11.52
30%的过冲; G = 1
5
V
S
=
±
2 V
–85
3.3
–100
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
–4–
版本B
AD8033/AD8034
最大功率耗散
最大功耗 - W
在AD8033 / AD8034的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
)在模具上。即本地封装模具将塑料
到达结点温度。在约150 ℃,这是
玻璃化转变温度时,塑料会改变其Properties(属性)
关系。即使只是暂时超过这一温度限值可能改变
该封装对芯片施加的应力,从而永久性地转变
在AD8033 / AD8034的参数性能。超过
的175℃下进行延长的时间周期结温度可以
导致的变化的硅器件,因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性能(
JA
),
环境温度(T
A
) ,总功率消耗在
装(P
D
)确定模具的结温。
结温度可以计算如下
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率(P
D
)是的总和
静态功耗和消耗在包中的功率
由于对所有输出的负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压(V
S
)倍的静态电流(I
S
).
假设负载(R
L
)被引用到中间电源电压,则总
驱动电源是
V
S
/2
I
OUT
,其中一些被消耗在
包和一些在负载(Ⅴ
OUT
I
OUT
) 。区别
总的驱动电源和负载之间的电源为驱动器
功率消耗在包装:
2.0
1.5
SOT-23-8
SOIC-8
1.0
SC70-5
0.5
0.0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
环境温度 - C
图2.最大功率耗散主场迎战
下一个四层板
气流会增加散热,有效地降低
JA
.
此外,更多金属直接接触封装从引线
金属迹线,通孔,接地层,电源层将减少
JA
。必须小心,以最小化寄生电容
的高速运算放大器的输入引线,在布局的讨论,
接地和旁路考虑部分。
图2示出了在最大安全功耗
包装与环境温度的SOIC - 8 ( 125 ° C / W ) ,
SC70 ( 210 ° C / W)和SOT- 23-8 ( 160 ° C / W)在JEDEC封装
标准的4层电路板。
JA
值是近似值。
输出短路
P
D
=
静态功耗
+
(
总驱动功率
负载功率
)
P
D
=
[
V
S
×
I
S
]
+
(
V
S
/ 2
)
×
(
V
OUT
/
R
L
)
V
OUT
/
R
L
2
[
]
[
]
RMS输出电压应予以考虑。如果
R
L
被引用
to
V
S–
,在单电源供电,则总驱动功率
is
V
S
I
OUT
.
如果均方根信号电平是不确定的,考虑最坏
情况下,当
V
OUT
=
V
S
/ 4为
R
L
到中间电源电压:
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
(
V
S
/ 4
)
/
R
L
2
短路输出到地面或吸收更多的电流为
在AD8033 / AD8034将有可能导致灾难性的失败。
在单电源供电
R
L
参考
V
S–
,
最坏的情况下
is
V
OUT
=
V
S
/2.
订购指南
模型
AD8033AR
AD8033AR-REEL
AD8033AR-REEL7
AD8033AKS-REEL
AD8033AKS-REEL7
AD8034AR
AD8034AR-REEL7
AD8034AR-REEL
AD8034ART-REEL
AD8034ART -REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
描述
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
5引脚SC70
5引脚SC70
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOT- 23
8引脚SOT- 23
包装外形
R-8
R-8
R-8
KS-5
KS-5
R-8
R-8
R-8
RT-8
RT-8
BRANDING
信息
H3B
H3B
HZA
HZA
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD8033 / AD8034具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–5–
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19 AD

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Low Cost, 80 MHz FastFET ⑩ Op Amps
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Low Cost, 80 MHz FastFET ⑩ Op Amps
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