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高性能, 145 MHz的
FastFET ™
运算放大器
AD8065/AD8066
特点
FET输入放大器
1 pA的输入偏置电流
低成本
高速: 145 MHz的-3 dB带宽(G = 1 )
180 V / μs压摆率(G = + 2 )
低噪音
7内华达州/ √Hz的( F = 10 kHz时)
0.6 FA / √Hz的( F = 10千赫)
宽电源电压范围: 5 V至24 V
单电源和轨到轨输出
低失调电压1.5 mV的最大
高共模抑制比: -100分贝
出色的失真规格
SFDR -88分贝@ 1 MHz的
低功耗6.4毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小封装: SOIC - 8 , SOT- 23-5 ,和MSOP
应用
仪器仪表
光电二极管前置放大器
过滤器
A / D驱动程序
电平转换
缓冲
连接图
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
4
AD8065
5
+V
S
NC
1
✱In
2
AD8065
8
7
6
NC
+V
S
V
OUT
顶视图
(不按比例)
✱In
+ IN
3
–V
S 4
顶视图
5
NC
(不按比例)
AD8066
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
顶视图
(不按比例)
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
02916-E-001
图1 。
概述
在AD8065 / AD8066
1
FastFET放大器电压反馈
放大器,具有FET输入,提供高性能和易用性
的用途。的AD8065是一个单一的放大器和AD8066是一个
双放大器。这些放大器的模拟
Devices,Inc.公司的专有XFCB工艺,并允许例外
低噪音运行( 7.0纳伏/ √Hz的0.6 FA / √Hz的),以及
非常高的输入阻抗。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ,能够
操作上单电源供电,以及145 MHz的带宽中,
AD8065 / AD8066是设计中的各种工作
应用程序。为了增加通用性,该放大器还含有
轨到轨输出。
尽管成本低,放大器提供出色的整体
性能。为0.02%的微分增益和相位误差
和0.02 ° ,分别沿0.1 dB平坦度为7 MHz的,
使这些放大器非常适合视频应用。另外,
他们提供180 V / μs的高压摆率,出色的失真
( -88分贝@ 1MHz的SFDR ) ,极高的共模
排斥-100分贝, 1.5 mV的低输入偏移电压
最大温热条件下进行。在AD8065 / AD8066
1
操作只用6.4毫安/放大器的典型电源电流
并能够提供高达负载电流为30毫安。
在AD8065 / AD8066是高性能,高速度,
FET输入放大器在小型封装: SOIC - 8 ,
MSOP -8和SOT- 23-5 。它们的额定工作过
工业温度范围-40℃至+ 85℃ 。
24
21
18
15
增益(dB )
G = +10
V
O
= 200mV的P-P
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
02916-E-002
–6
0.1
1
10
频率(MHz)
100
1000
图2.小信号频率响应
由美国专利号6262633保护。
英文内容
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AD8065/AD8066
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
最大功率耗散............................................... ...... 7
输出短路............................................... ..................... 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 15
工作原理............................................... ....................... 18
闭环频率响应........................................... 18
同相闭环频率响应.................. 18
反向闭环频率响应......................... 18
宽带运营................................................ ................. 19
输入保护................................................ .......................... 19
散热注意事项................................................ ............ 20
输入和输出过载行为...................................... 20
布局,接地和旁路注意事项................... 21
电源旁路............................................... ............. 21
接地................................................. .................................. 21
漏电流................................................ ........................ 22
输入电容................................................ ....................... 22
输出电容................................................ ................... 22
输入 - 输出耦合............................................ ............ 23
宽带光电二极管前置放大器............................................... 23
高速JFET输入仪表放大器.............. 24
视频缓冲................................................ ................................ 24
外形尺寸................................................ ....................... 25
订购指南................................................ ........................... 26
修订历史
2月4日,数据表自Rev. D的更改为牧师E.
更新格式................................................ .................通用
更新图56 ............................................... .......................... 21
更新的外形尺寸............................................... ....... 25
更新订购指南............................................... ............... 26
从版本C 11月3日,数据表改为启D.
更改功能............................................... ......................... 1
更改连接图.............................................. 1 ..
更新订购指南............................................... ................. 5
更新的外形尺寸............................................... ....... 22
从REV 4月3日,数据表发生变化。 B到REV 。 C.
对于AD8065 ........................................新增SOIC - 8 ( R) 4 .......
从版本A 2/ 03-数据表改为版本B.
更改绝对最大额定值...................................... 4
更改测试电路............................................. 10 .............. 14
更改测试电路............................................. 11 .............. 15
更改同相闭环频率响应16
更改反相闭环频率响应....... 16
更新了图6 ............................................... ........................... 18
图7 ..............................................变化......................... 19
变化图10 .............................................. ..................... 21
图11 ..............................................变化....................... 22
切换到高速JFET仪表放大器....... 22
更改视频缓冲.............................................. ................. 22
从REV 8月2日,数据表发生变化。 0到REV 。 A.
加入AD8066 ................................................ ..................通用
新增SOIC - 8 ( R)和MSOP - 8 ( RM ) .................................... 1 ....
编辑概述.............................................. 1 ...........
编辑规格............................................... ...................... 2
新图2 ............................................... ..................................... 5
更改订购指南.............................................. ............. 5
编辑TPC的18 , 25 ,和28 ......................................... .................. 8
新的TPC 36 ............................................... .................................... 11
增加了测试电路10和11 ............................................ ......... 14
MSOP ( RM - 8 )加入........................................... ......................... 23
修订版E |页28 2
AD8065/AD8066
特定网络阳离子
@ T
A
= 25 ° C,V
S
= -5 V ,R
L
= 1千欧,除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8065 )
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8066 )
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 , -5.5 V至+5.5 V
G = -1 , -5.5 V至+5.5 V
G = 2 ,V
O
= 4 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
G = 2 ,V
O
= 8 V步
f
C
=为1 MHz ,G = + 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫,G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ,G = + 2 ,V
O
= 8 V P-P
f
C
= 10兆赫,R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
V
CM
= 0 V , SOIC封装
SOIC封装
T
给T
最大
T
给T
最大
V
O
= -3 V ,R
L
= 1 kΩ
100
100
典型值
145
120
50
42
7
175
170
180
55
205
−88
−67
−73
24
7
0.6
0.02
0.02
0.4
1
2
25
1
1
113
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-5至+1.7
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V( SOT- 23 )
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 150 Ω
V
O
= 9 V P-P , SFDR ≥ -60 dBc的, F = 500千赫
30 %的过冲G = 1
5
-PSRR
−85
6.4
−100
−85
−82
-4.88至4.90
-5.0到+2.4
-5.0到+5.0
−100
−91
-4.94至4.95
-4.8到4.7
35
90
20
24
7.2
1.5
17
6
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
100
修订版E |第28 3
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C,V
S
= ± 12 V ,R
L
= 1千欧,除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8065 )
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8066 )
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 , -12.5 V至12.5 V
G = -1 , -12.5 V至12.5 V
G = 2 ,V
O
= 4 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
G = 2 ,V
O
= 10 V步骤
f
C
=为1 MHz ,G = + 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫,G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ,G = + 2 ,V
O
= 10 V P-P
f
C
= 10兆赫,R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
V
CM
= 0 V , SOIC封装
SOIC封装
T
给T
最大
T
给T
最大
V
O
= -10 V ,R
L
= 1 kΩ
100
100
典型值
145
115
50
40
7
175
170
180
55
250
−100
−67
−85
24
7
1
0.04
0.03
0.4
1
3
25
2
2
114
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-12至+8.5
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V( SOT- 23 )
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 350 Ω
V
O
= 22 V P-P , SFDR ≥ -60 dBc的, F = 500千赫
30 %的过冲G = 1
5
-PSRR
−84
6.6
−93
−85
−82
-11.8至11.8
-12.0至9.5
-12.0至12.0
−100
−91
-11.9至11.9
-11.25至11.5
30
120
25
24
7.4
1.5
17
7
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复
输出过驱动恢复
压摆率
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
103
修订版E |第28 4
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C,V
S
= 5 V ,R
L
= 1千欧,除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8065 )
G = 1 ,V
O
= 0.2 V P-P ( AD8066 )
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
G = 2 ,V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 , -0.5 V至+5.5 V
G = -1 , -0.5 V至+5.5 V
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
G = 2 ,V
O
= 2 V步骤
f
C
=为1 MHz ,G = + 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫,G = 2 ,V
O
= 2 V P-P
f
C
= 10兆赫,R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
NTSC ,G = 2 ,R
L
= 150 Ω
V
CM
= 1.0 V, SOIC封装
SOIC封装
T
给T
最大
T
给T
最大
V
O
= 1 V 〜4 V( AD8065 )
V
O
= 1 V 〜4 V( AD8066 )
125
110
典型值
155
130
50
43
6
175
170
160
60
−65
−50
22
7
0.6
0.13
0.16
0.4
1
1
25
1
1
113
103
1000 || 2.1
1000 || 4.5
0至1.7
见工作原理部分
V
CM
= 1 V至24 V
V
CM
= 1 V 〜2 V( SOT -23 )
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 150 Ω
V
O
= 4 V P-P , SFDR ≥ -60 dBc的, F = 500千赫
30 %的过冲G = 1
5
5.8
−78
−74
−78
0.1〜 4.85
0至2.4
0-5.0
−100
−91
0.03〜 4.95
0.07〜 4.83
35
75
5
24
7.0
1.5
17
5
5
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1%
噪音/谐波性能
SFDR
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
105
100
90
-PSRR
6.4
−100
修订版E |第28 5
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