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ACT- S128K32高速
4兆位的SRAM多芯片模块
特点
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
整体结构为128K ×32
输入和输出TTL兼容
17 , 20 , 25 , 35 , 45 & 55ns存取时间为15ns可通过特殊订单
整个军用( -55 ° C至+ 125°C )温度范围
+ 5V电源
选择7全密封共烧包:
68引脚,薄型CQFP ( F1 ) , 1.56"SQ X .140"max
68引脚,双腔CQFP ( F2 ) , .88"SQ X .20"max ( .18"max厚度
可用,请与工厂联系获取详细信息)
(落入68引脚JEDEC .99"SQ
CQFJ足迹)
68引脚,单腔CQFP ( F18 ) , .94"SQ X .140"max
(落入68
导致JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
66引脚, PGA型( P2 , P6有/无肩) , 1.185"SQ X .245"max
66引脚, PGA型( P7 , P3带/不带肩) , 1.08"SQ X .160"max
内部去耦电容
DESC SMD # 5962-93187发布( P2 , P3 , P6 , P7 )
电路科技
www.aeroflex.com
概述
在ACT - S128K32是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
( MCM )
专为全温度
范围,军用,太空,或高
可靠性,大容量存储器和
快速缓存的应用程序。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位, 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
是输入和输出的TTL
兼容。在执行写
当写使能(WE )
和芯片使能( CE )输入是
低。读完成
当我们高, CE和
输出使能(OE )都
低。访问时间等级
为17ns , 20ns的,为25ns , 35ns的,为45nS
和55ns最大的是
标准。
+5伏电源
版本是标准的
3.3伏的低功耗模式
可用(参见ACT- S128K32V
数据表) 。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸( SMD )的一部分
号被释放,并
可用。
ACT-S128K32
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构,
纽约州
5962-95595发布(F1 , F2 , F18 )
框图 - PGA型封装( P2 , P7 ) & CQFP ( F2 , F18 )
引脚说明
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
I / O
0-31
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
A
0–16
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
没有连接
框图 - CQFP ( F1 )
引脚说明
CE
1
WE
OE
A
0
– A
16
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–16
WE
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1659 REV ê 01年5月21日
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
储存温度
最大封装功耗
F1 , P2 / P6 , P3 / P7套装
F2 , F18包
Ø
J- ç
最热门的模具,最大热阻 - 结到管壳
F1 , P2 / P6 , P3 / P7套装
F2 , F18包
V
G
T
L
最大信号电压对地
最大焊接温度( 10秒)
2.0
8.0
-0.5到+7
300
° C / W
° C / W
V
°C
4.4
3.3
W
W
等级
情况下的工作温度
范围
-55到+125
-65到+150
单位
°C
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
A
真值表
模式
待机
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机(取消/省电)
活跃
主动(未选中)
活跃
电容
(
F = 1MHz的,T
C
= 25°C
)
符号参数
C
AD
C
OE
C
WE
C
CE
C
I
/
O
A
0
A
16
电容
OE电容
CQFP ( F1 )套餐
PGA( P2,P3, P6, P7)和CQFP (F2, F18 )包
芯片使能电容
I / O
0
- I / O
31
电容
最大
50
50
50
20
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证,但未经测试。
( 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ,V
SS
= 0V ,T
C
= -55 ° C至+ 125°C ,除非另有规定)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流32位
模式
Aeroflex公司电路技术ACT- S128K32
DC特性
条件
符号
I
LI
I
LO
-017 & -020 -025 & -035 -045 -055 &
单位
最小最大
最小最大
最小最大
10
10
10
10
10
10
µA
µA
V
CC
=最大,
V
IN
= 0或V
CC
CE = V
IH
, OE = V
IH
,
V
OUT
= 0或V
CC
CE = V
IL
, OE = V
IH
,
I
CC
X32 F = 5兆赫,V
CC
=最大,
CMOS兼容
2
600
600
600
mA
SCD1659 REV ê 01年5月21日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700
( 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ,V
SS
= 0V ,T
C
= -55 ° C至+ 125°C ,除非另有规定)
参数
符号
条件
CE = V
IH
, OE = V
IH
,
F = 5兆赫,V
CC
=最大,
CMOS兼容
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4.0毫安,V
CC
=分钟
2.4
-017 & -020 -025 & -035 -045 -055 &
单位
最小最大
最小最大
最小最大
80
0.4
2.4
60
0.4
2.4
60
0.4
mA
V
V
直流特性(续)
待机电流
输出低电压
输出高电压
I
SB
V
OL
V
OH
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ,T
C
= -55 ° C至+ 125°C )
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片使能到输出低Z *
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计,但没有测试
AC特性
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
–020
–017
最小值最大值最小值最大值
17
17
17
0
9
3
0
12
10
3
0
12
11
0
12
20
20
20
–025
–035
最小值最大值最小值最大值
25
25
25
0
15
3
0
12
12
3
0
15
15
0
20
35
35
35
–045
–055
最小值最大值最小值最大值
45
45
45
0
25
3
0
20
20
3
0
20
20
0
30
55
55
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
输出有源,从写结束*
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计,但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DH
t
AH
–017
最小最大
17
12
12
10
13
0
3
10
0
0
–020
–025
–035
–045
–055
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
20
15
15
12
15
0
3
10
0
0
0
0
25
20
20
15
20
0
3
10
0
0
35
25
25
18
25
0
4
15
0
0
45
30
30
20
30
0
4
15
0
0
55
40
40
20
40
0
4
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性(仅特殊订货)
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C )
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
测试条件
CE
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V , 17-55ns
所有速度
最大
2
5.5
11.6
单位
V
mA
Aeroflex公司电路技术ACT- S128K32
3
SCD1659 REV ê 01年5月21日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700
时序图
读周期时序图
读周期1 ( CE = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
CE
t
AS
WE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期1 (我们控制, OE = V
IL
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
S
EE
N
OTE
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
D
I / O
A
读周期2 (WE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
CE
t
ACE
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期2 ( CE控制, OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
CE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
WE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注:由设计保证,但未经测试。
注:由设计保证,但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
为了测试设备
C
L
=
50 pF的
I
OH
电流源
V
Z
〜 1.5 V(双极性电源供电)
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
输出引线电容
典型
0 – 3.0
5
1.5
50
单位
V
ns
V
pF
注意事项:
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 )I
OL
OH
可编程从0到16毫安。 3 )阻抗测试仪
Z
O
= 75Ω.
4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
OH
被调整,以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ) ATE测试仪包括夹具电容。
Aeroflex公司电路技术ACT- S128K32
4
SCD1659 REV ê 01年5月21日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700
引脚数&功能
66引脚 - PGA型
#引脚功能引脚号功能引脚号功能引脚号功能引脚号功能引脚号功能引脚号功能
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
I / O
0
I / O
1
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
I / O
2
WE
2
CE
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
VCC
CE
1
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
NC
I / O
3
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
NC
WE
1
I / O
7
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
NC
A
8
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
V
CC
CE
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
A
5
WE
3
CE
3
GND
I / O
19
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
61
62
63
64
65
66
A
1
A
2
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
注意:
销8 ,21, 28 , & 39通常不连接的,并且可以连接由specifing引出线选项"C"接地。
"P2" - 1.185" SQ PGA型封装标准(与引脚1 , 11的肩膀, 56 & 66 )
"P6" - 1.185" SQ PGA型特殊订购套餐(不带肩
)
SIDE VIEW
(P2)
.245
最大
.025
.035
.085
.075
A
SIDE VIEW
(P6)
.061
.051
底部视图( P2 & P6 )
1.185 SQ
±.015
1.000
.600
引脚56
销1
φ
.050
1.140
1.150
.100
1.140
1.150
利用
有限
.100
'' P7 ''包新设计
φ
.020
.016
引脚66
1.000
φ
.020
.016
.180
典型值
引脚11
.155
.145
.160
最大
.180
典型值
.100
"P7" - 1.08" SQ PGA型封装标准(与引脚1 , 11的肩膀, 56 & 66 )
"P3" - 1.08" SQ PGA型特殊订购套餐(不带肩
)
SIDE VIEW
(P7)
SIDE VIEW
(P3)
.085
.075
底部视图( P7 & P3 )
1.085 SQ
最大
1.000
.600
引脚56
.185
最大
.025
.035
.061
.051
销1
φ
.050
1.030
1.040
.100
1.030
1.040
.100
1.000
φ
.020
.016
.180
典型值
φ
.020
.016
引脚66
引脚11
.155
.145
.160
最大
.180
典型值
5
.100
Aeroflex公司电路技术ACT- S128K32
SCD1659 REV ê 01年5月21日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700
相关元器件产品Datasheet PDF文档

ACT-S128K32C-045P7Q

High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module
12 AEROFLEX

ACT-S128K32C-055P2Q

x32 SRAM Module
18 AEROFLEX

ACT-S128K32C-055P2Q

High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module
25 AEROFLEX

ACT-S128K32C-055P7Q

High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module
11 AEROFLEX