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DS-11802D4-575L  DS-11802D4-525  DS-11802D4-524L  DS-11802D4-573  LTC637A1G12  DS-11802D4-574L  LTC627D1P  LTC667A1P  LTC637C1G  DS-11802D4-563Z  
ACT-S128K32N-025P2Q 高速4兆位的SRAM多芯片模块 (High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module)
.型号:   ACT-S128K32N-025P2Q
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描述: 高速4兆位的SRAM多芯片模块
High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module
文件大小 :   396 K    
页数 : 10 页
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品牌   AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
购买 :   
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100%
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
储存温度
最大封装功耗
F1 , P2 / P6 , P3 / P7套装
F2 , F18包
Ø
J- ç
最热门的模具,最大热阻 - 结到管壳
F1 , P2 / P6 , P3 / P7套装
F2 , F18包
V
G
T
L
最大信号电压对地
最大焊接温度( 10秒)
2.0
8.0
-0.5到+7
300
° C / W
° C / W
V
°C
4.4
3.3
W
W
等级
情况下的工作温度
范围
-55到+125
-65到+150
单位
°C
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
A
真值表
模式
待机
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机(取消/省电)
活跃
主动(未选中)
活跃
电容
(
F = 1MHz的,T
C
= 25°C
)
符号参数
C
AD
C
OE
C
WE
C
CE
C
I
/
O
A
0
A
16
电容
OE电容
CQFP ( F1 )套餐
PGA( P2,P3, P6, P7)和CQFP (F2, F18 )包
芯片使能电容
I / O
0
- I / O
31
电容
最大
50
50
50
20
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证,但未经测试。
( 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ,V
SS
= 0V ,T
C
= -55 ° C至+ 125°C ,除非另有规定)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流32位
模式
Aeroflex公司电路技术ACT- S128K32
DC特性
条件
符号
I
LI
I
LO
-017 & -020 -025 & -035 -045 -055 &
单位
最小最大
最小最大
最小最大
10
10
10
10
10
10
µA
µA
V
CC
=最大,
V
IN
= 0或V
CC
CE = V
IH
, OE = V
IH
,
V
OUT
= 0或V
CC
CE = V
IL
, OE = V
IH
,
I
CC
X32 F = 5兆赫,V
CC
=最大,
CMOS兼容
2
600
600
600
mA
SCD1659 REV ê 01年5月21日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700
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