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PTAB2002A-FEMGD  PTAB2002A-GLFBD  PTAB2002A-BCFBD  PTAB2002A-GEMOD  PTAB2002A-FLFWD  PTAB2002A-BLMGD  PTAB2002A-FLFGD  PTAB2002A-GNROD  PTAB2002A-GCFSD  PTAB2002A-FNRBD  
HSMS-282R-BLKG 表面贴装射频肖特基势垒二极管 (Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes)
.型号:   HSMS-282R-BLKG
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描述: 表面贴装射频肖特基势垒二极管
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
文件大小 :   202 K    
页数 : 14 页
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品牌   AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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100%
3
四电容
肖特基二极管的电容
四边形是使用测
HP4271 LCR测量仪。这
仪器有效地隔离
从单个二极管分行
其他人,让精确的
每个电容测量
分支机构或每个二极管。该
条件是: 20毫伏均方根
电压在1 MHz 。安捷伦定义
这种测量称为“ CM” ,和它
等效于电容
通过自身的二极管。相当于
对角线相邻的电容
可用距离然后可以由下式计算
下面给出的公式。
在一个四边形,对角线电容
距离受到之间的电容
点A和B所示的
下图。对角线
电容的计算公式
下面的公式
C
1
乘C
2
C
3
乘C
4
C
对角线
= _______ + _______
C
1
+ C
2
C
3
+ C
4
A
C
1
C
C
2
C
4
B
C
3
相当于相邻
电容是电容
点A和C之间
下图。这种电容
使用下面的计算
公式
1
C
= C
1
+ ____________
1 1
1
–– + –– + ––
C
2
C
3
C
4
该信息不适用
向交叉的四二极管。
线性等效电路模型
二极管芯片
R
j
R
S
SPICE参数
参数单位
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
V
pF
eV
A
A
V
HSMS-282x
15
0.7
0.69
1E - 4
2.2E - 8
1.08
6.0
0.65
2
0.5
C
j
R
S
=串联电阻(见表的SPICE参数)
C
j
=结电容(见表的SPICE参数)
R
j
=
8.33 X 10
-5
nT
I
b
+ I
s
哪里
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
I
s
=饱和电流(见表格的SPICE参数)
T =温度,
°K
N =理想因子(见表的SPICE参数)
注意:
有效地模拟包装HSMS- 282X产品
请参考应用笔记AN1124 。
ESD警告:
操作应采取预防措施,防止静电放电。
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