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MJB45H11T4G  KYW25K1  KYW35A2  KYW25K6  KYW35K1  KYW25A05  MJB45H11G  KYW25A3  KYW35A4  MJB44H11  
HSMS-282R-BLKG 表面贴装射频肖特基势垒二极管 (Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes)
.型号:   HSMS-282R-BLKG
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描述: 表面贴装射频肖特基势垒二极管
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
文件大小 :   202 K    
页数 : 14 页
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品牌   AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
购买 :   
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100%
4
典型性能,T
C
= 25
°
℃(除非另有说明) ,单二极管
100
I
F
- 正向电流(mA )
C
T
- 电容(pF )
I
R
- 反向电流( NA)
10
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
T
A
= –25°C
100,000
1
10,000
0.8
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0
5
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压( V)
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
10
15
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压( V)
V
R
- 反向电压( V)
图1.正向电流与
在正向电压的温度。
图2.反向电流与
反向电压的温度。
图3.总电容与
反向电压。
∆V
F
- 正向电压差(MV )
1000
30
30
100
1.0
10
I
F
(左轴)
10
100
I
F
(左轴)
10
10
1
∆V
F
(右轴)
1
∆V
F
(右轴)
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流(mA )
V
F
- 正向电压( V)
V
F
- 正向电压( V)
图4.动态电阻与
正向电流。
图5.典型的V
f
全场比赛,双系列
和四边形的混频器偏置电平。
图6.典型的V
f
全场比赛,双系列
在检测器偏置电平。
1
10
10
V
O
=输出电压(V)的
V
O
=输出电压(V)的
DC偏压= 3
µA
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
+25°C
转换损耗(dB )
1
9
8
0.01
RF在18 nH的HSMS- 282B武
3.3 nH的
100 pF的
100 KΩ
0
0.001
0.0001
1E-005
-20
在RF
68
HSMS-282B
Vo
100 pF的
7
4.7 KΩ
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率(dBm )
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率(dBm )
P
in
- 输入功率(dBm )
图7.典型输出电压 -
输入功率,小信号探测器
工作在850兆赫。
图8.典型输出电压 -
输入功率,大信号探测器
工作频率为915MHz 。
图9.典型变频损耗与
L.O.驱动器, 2.0千兆赫(参考AN997 ) 。
∆V
F
- 正向电压差(MV )
R
D
- 动态电阻( Ω )
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- 正向电流( μA )
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