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级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA-0600
特点
•可级联50
增益模块
•低工作电压
( 3.5 V典型的V
d
)
•3 dB带宽:
DC至1.0 GHz的
•高增益:
19.5分贝一般在0.5 GHz的
•低噪声系数:
2.8分贝一般在0.5 GHz的
宽带IF和RF放大器
在商业,工业和
军事应用。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的˚F
T
25 GHz的˚F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准,
离子注入,黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能,均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
推荐汇编
程序是金晶模
连接在400℃和任一楔
或用0.7万金丝球焊
线。
[1]
请参阅应用
节, “芯片使用” 。
芯片大纲
[1]
描述
该MSA - 0600是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
( MMIC )芯片。这是MMIC
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄,
注意:
1.该芯片包含了额外的偏置
选项。规定的性能
仅适用于偏压的选择,其
键合焊盘所表示的芯片上
轮廓。请参阅应用
部分“硅MMIC芯片使用”的
附加信息。
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 5 V
RFC (可选)
4
C
3
IN
1
MSA
C
OUT
V
d
= 3.5 V
2
5965-9583E
6-362
MSA - 0600绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
50毫安
200毫瓦
+13 dBm的
200°C
-65 ℃〜200℃
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 50℃ / W的
注意事项:
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
安装面
(T
MS
) = 25°C.
3.减额在20毫瓦/°C,对于T
安装面
> 190℃ 。
4.该技术导致的小的光斑尺寸更高,虽然更
准确测定
θ
jc
比其他方法。见测量
MENTS节“热阻”的详细信息。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
∆G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件
[2]
: I
d
= 16毫安,Z
O
= 50
功率增益( | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.1〜1.5千兆赫
F = 0.1〜1.5千兆赫
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.1〜0.6千兆赫
单位
dB
dB
GHz的
分钟。
典型值。
20.5
±
0.7
1.0
1.9:1
1.8:1
马克斯。
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
3.1
2.8
2.0
14.5
200
3.5
–8.0
3.9
注意事项:
1.推荐工作电流范围为这个设备是12到30毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
芯片2.射频性能是由包装决定和一个双接地配置测试,每片晶圆10设备。
产品型号订购信息
产品型号
MSA-0600-GP4
设备每盘
100
6-363
MSA - 0600典型散射参数
[1]
(Z
O
= 50
Ω,
T
A
= 25 ° C,I
d
= 16 mA)的
频率。
GHz的
S
11
MAG
dB
S
21
MAG
dB
S
12
MAG
MAG
S
22
k
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
.05
.07
.09
.11
.13
.15
.19
.25
.32
.40
.45
.49
.51
.51
.51
.51
–148
–134
–125
–121
–120
–119
–121
–123
–134
–149
–157
–171
–174
179
170
162
20.6
20.4
20.2
20.0
19.7
19.4
18.7
17.9
15.7
13.5
11.6
9.9
8.3
6.9
5.7
4.7
10.66
10.48
10.28
10.01
9.71
9.34
8.60
7.82
6.10
4.73
3.79
3.12
2.60
2.21
1.93
1.71
173
166
159
151
145
140
123
117
96
79
70
61
51
43
37
29
–23.3
–23.1
–22.6
–22.4
–22.1
–21.8
–20.7
–19.8
–18.3
–17.4
–16.9
–16.6
–16.4
–16.3
–16.0
–15.9
.068
.070
.074
.076
.078
.081
.092
.102
.122
.136
.142
.148
.152
.153
.159
.161
4
8
13
15
17
20
25
26
29
27
30
28
25
26
24
24
.05
.09
.13
.16
.20
.22
.25
.28
.29
.26
.23
.19
.16
.12
.10
.11
–67
–91
–102
–110
–117
–124
–136
–148
–168
175
169
168
173
–170
–149
–126
1.05
1.04
1.01
1.00
0.98
0.97
0.93
0.90
0.89
0.91
0.97
1.03
1.10
1.22
1.31
1.41
注意:
通过在设备中找到的封装模式1. S参数去嵌入,从70万包测量数据
模型部分。
典型性能,T
A
= 25°C
(除非另有说明)
21
18
增益平坦直流
15
G
p
( dB)的
25
GP (分贝)
21
0.1 GHz的
0.5 GHz的
20
19
18
17
2.0 GHz的
P
1分贝
( dBm的)
20
1.0 GHz的
G
p
( dB)的
G
P
12
9
6
15
5
4
3
2
1
0
–55 –25
+25
+85
+125
NF
P
1分贝
5
4
3
2
1
0
温度(℃)
NF( dB)的
10
5
3
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
频率(GHz )
0
10
15
20
25
30
I
d
(MA )
图1.典型的功率增益与
频率,T
A
= 25 ° C,I
d
= 16 mA的电流。
图2.功率增益与电流。
图3.输出功率为1 dB增益
压缩, NF和功率增益与
安装面温度,
F = 0.5 GHz的,我
d
= 16 mA的电流。
12
I
d
= 30毫安
8
P
1分贝
( dBm的)
NF( dB)的
4.0
3.5
4
I
d
= 20毫安
3.0
I
d
= 16毫安
0
I
d
= 12毫安
-4
0.1
2.5
I
d
= 12毫安
I
d
= 16毫安, 30毫安
I
d
= 20毫安
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
2.0
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
频率(GHz )
频率(GHz )
图4.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图5.噪声系数与频率的关系。
6-364
MSA - 0600芯片尺寸
输入
300
µm
12.8万
300
µm
12.8万
6-365
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