HG-0114 [AKM]
Hall Effect Sensor, 50mT Max, 78-102mV, Rectangular, Surface Mount,;
| 型号： | HG-0114 |
| 厂家： | 
ASAHI KASEI MICROSYSTEMS |
| 描述： | Hall Effect Sensor, 50mT Max, 78-102mV, Rectangular, Surface Mount, 传感器 换能器 |
| 文件： | 总3页 (文件大小：245K) |
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GaAs Hall Element
HG-0114
HG-0114は超小型SON型GaAsホール素子です。
定電流駆動時HG-0113より高感度になります。
標準はテーピングリール供給です。（5000pcs.／Reel）
Shipped in packet-tape reel(5,000pcs per reel)
Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE"
written on the back of the front cover of this catalogue.
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重 要注意事項」を
良くお読みください。
●最大定格（Ta=25℃）Absolute Maximum Ratings
項ꢀ目
Item
記号
Symbol
定ꢀꢀ格
Limit
単ꢀ位
Unit
制
御
電
圧
8
VC
PD
V
mW
℃
Max. Input Voltage
許
容
損
失
150
Max.Input Power
動
作
温
度
－40 ～ ＋125
－40 ～ ＋150
Topr.
Tstg.
Operating Temp. Range
保
存
温
度
℃
Storage Temp. Range
Dimensional Drawing (Unit : mm)
●外形寸法図
＋0
0.5
－0.1
0.8±0.1
CL
●電気的特性（測
定温度 25℃）Electrical Characteristics(T =25℃)
0.3
a
項ꢀ目
Item
記号
Symbol
ꢀ定ꢀ条ꢀ件
Conditions
最小 標準 最大 単位
Min. Typ. Max. Unit
4
Sensor
Center
2
3
※
VH
ホール出力電圧
B=50mT, V =6V
c
78
102
mV
Ω
φ0.2
Output Hall Voltage
入
力
抵
抗
R
in
B=0mT,Ⅰ=0.1mA
1,600 2,000 2,400
3,200 4,000 4,800
c
5
Input Resistance
N極
出
力
抵
抗
R
B=0mT,Ⅰ=0.1mA
Ω
out
c
Output Resistance
4
1
不 平 衡 電 圧
Offset Voltage
V
(V
)
u
B=0mT, V =6V
c
－8
8
mV
os
Sensor
Center
※
出力電圧の温度係数
Temp. Coefficient of VH
B=50mT,Ⅰ=1mA
c
0.15
αVH
－0.07 %/℃
Ta=25～125℃
αR ※
入力抵抗の温度係数
B=0mT,Ⅰ=0.1mA
3と5は電気的に接続されています。
Pin 5 is short to pin 3 inside the package.
c
0.3
%/℃
in
Temp. Coefficient of R
Ta=25～125℃
in
※
ホ ー ル 電 圧 直
線 性
%
B=0.1/0.5T,Ⅰ=1mA
2
ΔK
c
Linearity
リꢀーꢀドꢀ接ꢀ続
CL
Pinning
Notes : 1. VH = VHM – Vos(Vu) (VHM:meter indication)
1
VH (T2) – VH (T1)
X 100
(T2 – T1)
±
入ꢀ力
2. VH
3. Rin
=
=
X
X
VH (T1)
1（±） 3（ꢀ）
Input
1
Rin (T2) – Rin
(T ) X 100
1
Rin (T1)
±
(T2 – T1)
出ꢀ力
Output
2（±） 4（ꢀ）
K (B
[K (B ) + K (B
1
) – K (B
2)
/
K
4.
=
X 100
2
1
2)]
T1 = 25˚C, T2 = 125˚C
VH
K =
●（参考）ランド形状（単位：mm）
IC • B
B1 = 0.5T, B2 = 0.1T
Land pattern (for reference only) (Unit : mm)
●特性曲線図
Characteristic Curves
ꢀ許容損失(PD)―周囲温度(T )
a
Allowable Package Power Dissipation
200
160
120
80
40
0
0.30
0.55
0.30
0
20
40
60
80
100
120
140
周
囲温度：T [℃]
a
Ambient Temperature(˚C)
HG-0114
•製品 子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、
はある確率で故障する可能性がございます。医療機器、自動車、航空宇宙用機器、原
身体、財産等へ重 大な損害
を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
下さい。
•Please be aware that our products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of our products in such applications requires the
advance written approval of our sales staff.
Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks,
adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of our products in such
applications is understood to be fully at the risk of the customer using our devices or systems.
•この製品
は静電放電により破壊されやすいため取り扱いにご注意ください。
•Handling precautions required for preventing electrostatic discharge.
•当製品にはガリウムヒ素（GaAs）が使用されています。取り扱い及び廃棄に注意
してください。
•This product contains galium arsenide（GaAs）.Handling and discarding precautions required.
●特性曲線図
R -T
Characteristic Curves
b
c
VH-B
in
3000
800
700
600
500
400
300
200
100
0
定電流駆動
I
const
c
2500
2000
1500
1000
500
定電圧駆動
V
const
c
l
V
T
=1 [mA]
= 6 [ ]
V
[ ]
=25 ℃
V
c
c
a
c
I
c
0
–50
0
50
100
150
0
100
磁束密度：B [mT]
Magnetic Flux Density
200
300
周
囲温度：T [℃]
a
Ambient Temperature(˚C)
VH-T
VH-V ,VH-Ic
c
160
140
120
120
定電流駆動
const
定電流駆動
const
I
I
c
c
100
80
定電圧駆動
定電圧駆動
V
c
V
const
V
const
c
c
B
=50 [mT]
100
[
]
T
=25 ℃
a
V
c
l
V
B
=1 [mA]
c
c
80
60
40
20
0
60
40
20
= 6 [ ]
I
c
V
[
]
=50 mT
I
c
0
0
2
4
6
8
10
－
50
0
50
囲温度：T［℃］
100
150
g
駆動電流：I［mA］Input Current
c
駆動電圧：V［V］Input Voltage
c
周
a
Ambient Temperature（℃）
V
(V )-T（参考）
u
V
(V )-V , V (V )-I （参考）
os
os
u
c
os u c
8
10
定電流駆動
7
6
5
4
3
2
1
0
定電流駆動
I
const
c
I
const
c
8
6
4
2
0
定電圧駆動
定電圧駆動
V
const
c
V
const
c
V
c
i
l
V
B
=1 [mA]
= 6 [ ]
V
[ ]
=0 mT
c
c
I
c
V
c
B
T
=0 [mT]
[
]
=25 ℃
I
a
c
-50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
周
囲温度：T [℃]
駆動電流：I [mA] Input Current
a
c
Ambient Temperature(˚C)
駆動電圧：V [V] Input Voltage
c
※Magnetic Flux Density
1[mT]=10[G]
定電圧駆動ꢀR =2064〔Ω〕、V =4.78〔mV〕[V =
定電流駆動ꢀ同
]の例
6〔V〕
c
in
上素子
In This Example : R =2064〔Ω〕, V =4.78〔mV〕, [V =
os
k
]
6〔V〕
c
in
os
重要注意事項
●
本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善
のために予告なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討
の際には、本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、
あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
● 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連
する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の
機器設計において本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアお
よびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行
ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよ
びこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた
損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用
に起因する、工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につ
きましても同様です。
● 本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資（役
務を含む）に該当する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要で
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● 医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・
機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等
へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を
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2010 年 6 月 2 日現在
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