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3940_03 全桥式功率MOSFET控制器 (FULL-BRIDGE POWER MOSFET CONTROLLER)
.型号:   3940_03
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描述: 全桥式功率MOSFET控制器
FULL-BRIDGE POWER MOSFET CONTROLLER
文件大小 :   591 K    
页数 : 12 页
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品牌   ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
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100%
3940
全桥电源
MOSFET控制器
端口说明
CA / CB 。
为自举电容的高端连接,正
供应高侧栅极驱动。自举电容
充电到V
REG13
- 1.5伏时,输出Sx的终端是低的。
当输出摆幅高,该端子上的电压上升
与输出,以提供所需要的正升压后的栅极电压
通道功率MOSFET。
复位。
控制输入​​将设备置于最小功率
消耗模式和清除锁存的故障。逻辑“1”的
使得装置;逻辑“0”触发休眠模式。国内
通过50 kΩ电阻下拉。
启用。
逻辑“1”允许直接控制输出的
通过相输入驱动器,如PWM控制,并且忽略
MODE(模式)和SR的投入。通过内部50 kΩ的拉下来
电阻器。
模式。
逻辑输入设置电流衰减模式。逻辑“1”的
(慢衰减模式)被关闭,在高侧MOSFET
响应于PWM “断”命令。逻辑“0”(快速衰变
模式),关闭两高侧和低侧MOSFET 。
通过50 kΩ的电阻下拉。
阶段。
电机方向控制。当逻辑“1” ,使
栅极驱动输出GHA和GLB允许从当前流
SA到SB 。当逻辑“0” ,使GHB和GLA的允许
电流从SB到SA 。通过内部50 kΩ的拉下来
电阻器。
SR 。
当逻辑“1” ,使同步整流;逻辑
“ 0 ”禁用同步整流。内部上拉
通过上下50 kΩ的电阻。
错。
漏极开路,诊断逻辑输出信号。当
逻辑“1” ,则表示一个或多个故障情况有
发生了。使用外部上拉电阻, VREG5或数字
控制器。在内部引起海岸时断言。另请参阅
功能描述,下一个页面。
IDEAD 。
模拟量电流通过电阻器来设定( 12 kΩ<R
DEAD
<500千欧)
到地面。与龙一起,决定死区时间
同相位的GHX和在GLx跃迁之间。 V
IDEAD
= 2 V.
长。
当逻辑“1” ,选择GHX之间长期的死区时间
而在GLx转变同相的。当逻辑“0” ,选择
短的死区时间。通过50 kΩ的电阻下拉。
GHA / GHB 。
对于n沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可以控制摆
率看见在功率驱动门。
GLA / GLB 。
外部N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可以控制摆
率看见在功率驱动门。
GND 。
共同点和直流电源的回报。裸露
LP封装的散热垫内部没有连接到
GND 。
LSS 。
低侧栅极驱动器的回归。连接到公共
源中的功率MOSFET桥的低侧。它是
对于短期到电池监控器参考连接。
OVSET 。
控制的VBB过压正,直流电平
跳闸点。通常情况下,由精密电阻分压器提供
V之间的网络
REG5
和GND 。如果直接连接到
V
REG5
,集不明但高过电压跳变点, effec-
tively消除了过电压保护。
SA / SB 。
直接连接到电机端子,这些
端子感测切换负载两端的电压,并且
连接的自举电容的负端。另外,
是浮动的,高侧的负电源连接
驱动程序。
VBB 。
正电源电压。通常连接到马达
电压供应。如果V
BB
高于特定水平或更低的
指定的电平,一个故障将被置位。
VDRAIN 。
Kelvin连接的漏 - 源极电压(短期
地)监视和被连接到高侧漏
MOSFET的桥梁。也可以用来检测“漏极开路” 。
VDSTH 。
正,直流电平,设置短到地面,
短到电池监控器阈值电压。如果漏极 - 源极
电压超过“接通”期间,该电平(死区时间后)
状态,故障将被置位。
CP1 [ CP2 ] 。
电荷泵电容负[正]侧。如果
不使用电荷泵,留下两个终端开放。
VCP 。
电荷泵输出VREG13输入。如果不使用
电荷泵,该终端连接到VBB 。
VIN 。
正电源电压为V
REG13
线性调节器。
通常连接到VCP ,电荷泵输出栅极驱动。
如果不使用电荷泵,连接VIN到VBB或其他DC
供给大于11V。
VREG13.
高侧栅极驱动电源。如果V
REG13
瀑布下方
指定的电平,一个故障将被置位。
VREG5.
提供5 V稳压输出的内部逻辑。
8
115东北托夫,箱15036
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