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BZX84C24  BZX84C2V0  BZV55C12  BZV55C2V7  BZX84C2V7  BZX84C36  BZX84C30  BZX55C6V8  BZX84C15  BZX55C12  
5800 采用BiMOS II锁存驱动程序 (BiMOS II LATCHED DRIVERS)
.型号:   5800
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描述: 采用BiMOS II锁存驱动程序
BiMOS II LATCHED DRIVERS
文件大小 :   118 K    
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品牌   ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
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100%
5800
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
5800
5801
采用BiMOS II锁存驱动程序
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW锁存输入BiMOS
集成电路合并大电流,高电压输出CMOS逻辑。该
CMOS输入部分包括4个或8个数据( “D”型)锁存器
相关的常见CLEAR , STROBE和OUTPUT ENABLE
电路。电源输出为双极NPN达林顿。该合并
技术提供通用的,灵活的接口。这些公司BiMOS电源
接口IC大大有利于计算机或微处理器的的简化
处理器的I / O 。该UCN5800A和UCN5800L每个包含四个锁存
驱动程序;在UCN5801A , UCN5801EP和UCN5801LW包含8
锁存驱动程序。
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW取代原来的
采用BiMOS锁存输入驱动器IC ( UCN4400A和UCN4801A ) 。这些
第二代设备能够高得多的数据输入的
率并将于优于5 MHz的5 V逻辑通常工作
供应量。在12 V的电路工作能提供实质性的改进
在5 MHz的数字。
CMOS输入与标准CMOS和NMOS兼容
电路。 TTL电路可以强制增加输入上拉电阻
器。双极达林顿输出适用于直接驱动
很多外设/功率负载:继电器,灯,电磁阀,小DC
电机等
所有器件都具有集电极开路输出和积分二极管
感性负载瞬态抑制。输出晶体管是
可以吸收500毫安并能承受至少50 V ,在关中
状态。由于在封装功耗的限制, simul-
所有驱动程序的最大额定电流taneous操作只能是
通过在工作周期的降低来实现的。输出可以并联
对于更高的负载电流能力。
该UCN5800A被布置在一个标准的14引脚DIP ;该
UCN5800L和UCN5801LW在表面安装SOIC封装;该
UCN5801A在一个22引脚DIP与0.400" (10.16 MM)行中心;该
UCN5801EP采用28引脚PLCC 。
数据表
26180.10B
UCN5800L
1
14
UCN5800A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
14
V
DD
13
12
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
常见
锁存器
11
10
9
8
DWG 。 PP- 014A
注意UCN5800A ( DIP )和UCN5800L
(SOIC)电相同的,并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
at
+25
°
Ç自由空气的温度
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . 50 V
电源电压,V
DD
. . . . . . . . . . . . . . 15 V
输入电压范围,
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续集电极电流,
l
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
封装功耗,
P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。请参阅图表
工作温度范围,
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . -20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
. . . . . . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
注意: CMOS器件具有输入静态
保护,但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
特点
s
s
4.4 MHz的数据输入速率
s
s
高电压,
s
高电流输出
s
s
CMOS , NMOS ,
TTL兼容的输入
输出瞬态保护
内部下拉电阻
低功耗CMOS锁存
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货,例如,
UCN5801EP
.
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