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WMS128K8L-20DECE  CMC7101AY/T  VE13P06250KEA  VE17P00131KEG  WMS128K8L-20CLMA  CMBTA92  CMC7106Y/R  VE17P00131KHB  WMS128K8L-20CLC  VE13P06250KEF  
5841 采用BiMOS II 8位串行输入,锁存驱动程序 (BiMOS II 8-BIT SERIAL-INPUT, LATCHED DRIVERS)
.型号:   5841
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描述: 采用BiMOS II 8位串行输入,锁存驱动程序
BiMOS II 8-BIT SERIAL-INPUT, LATCHED DRIVERS
文件大小 :   175 K    
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品牌   ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
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100%
5841
5842
UCN5841A & UCN5842A
V
EE
时钟
串行
DATA IN
逻辑
逻辑
供应
串行
数据输出
频闪
产量
启用
V
EE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ST
OE
V
DD
18
CLK
移位寄存器
17
16
锁存器
15
14
13
12
11
10
DWG 。 PP- 026-1
采用BiMOS II 8位串行输入,
锁存驱动程序
低功耗CMOS逻辑和双极输出功率的合并
驱动程序允许UCN5841 / 42A , UCN5841 / 42LW ,和A5841 / 42SLW
在各种外围设备的电源的情况下使用的集成电路
驱动器应用。每个器件都有一个8位CMOS移位寄存器
和CMOS控制电路,八个CMOS数据锁存和8双极
电流吸收达林顿输出驱动器。该500毫安NPN达林顿
输出,积分瞬变抑制二极管,都适合使用
用继电器,螺线管等感性负载。除了包装
和最大驱动器输出电压额定值,该UCN5841A ,
UCN5841LW , A5841SLW , UCN5842A , UCN5842LW和A5842SLW
是相同的。在5842的报价溢价perfor-所有包的变体
曼斯与80 V最小输出额定击穿电压( 50 V
维持) 。所有的驱动程序可以用分离电源下工作,其中
负电源是高达-20V。
采用BiMOS II器件具有更高的数据输入速率比以前的
采用BiMOS电路。采用5 V逻辑电源,他们通常会在运行
超过5MHz的更好。与12 V电源,显著高于速度
获得。 CMOS输入与标准CMOS兼容
NMOS的逻辑电平。 TTL电路可能需要使用适当的
上拉电阻。通过使用串行数据输出,驾驶者可以是
级联需要附加驱动线路的接口应用。
该UCN584xA设备都拥有一个标准的18引脚塑料
DIP ;在UCN584xLW设备是在一个18引脚表面贴装
宽体SOIC封装;该A584xSLW器件以提供20-
具有更好的热特性导致宽体SOIC封装。
该A5841SLW和UCN5841LW驱动程序也可用于
操作,以在-40 ℃的温度下进行。如需订购,从改后缀
“缓慢”到“ ELW ” ,或从“世界环保组织”到“ UCQ ”更改前缀。
数据表
26185.14F
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
K
注意, UCN584xA (双列直插式封装)和
UCN584xLW (小外形集成电路封装)是电
相同的,并且共享共同的终端号码的分配。
绝对最大额定值
在25
°
Ç自由空气的温度
输出电压V
CE
(5841) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50 V
(5842) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80 V
输出电压V
CE ( SUS)
(5841) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35 V†
(5842) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50 V†
逻辑电源电压范围,
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . .
4.5 V至15 V
V
DD
与参考V
EE
. . . . .
25 V
发射器电源电压,V
EE
. . . . . . .
-20 V
输入电压范围,
V
IN
. . . . . . . . . . .
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续输出电流,
I
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
500毫安
封装功耗,
P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . .
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
. . . . . . . . . . . . . . .
-55
°
C至+150
°
C
†对于感性负载的应用。
注意: CMOS器件具有输入静态保护
但是当暴露于容易受到损伤
极高的静电电荷。
特点
I
至3.3 MHz的数据输入速率
I
CMOS , NMOS , TTL兼容输入
I
内部上拉/下拉电阻
I
低功耗CMOS逻辑和锁存器,
I
高压电流吸收输出
I
输出瞬态保护二极管
I
单或分割电源供电
I
DIP或SOIC封装
I
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货,例如,
A5841SLW
.
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