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SIT6800M200  SIWC1365-181  SIWC1365-821  FYS-10012E/FXX-XX  SIWC1365-150  SIWC1365-180  SIT1500M50  SIWC1365-271  MCP1827S-3302E/EB  K4M56323PG-FHE/G75  
5881 采用BiMOS II双通道8位锁存读取驱动器返回 (BiMOS II DUAL 8-BIT LATCHED DRIVER WITH READ BACK)
.型号:   5881
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描述: 采用BiMOS II双通道8位锁存读取驱动器返回
BiMOS II DUAL 8-BIT LATCHED DRIVER WITH READ BACK
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品牌   ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
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100%
5881
采用BiMOS II双
8位锁存驱动程序
5881
采用BiMOS II双通道8位锁存
驱动器与回读
16个CMOS数据锁存器(两套八) , CMOS控制
电路为每个组锁存器,并为每个双极饱和驱动
锁存器中, UCN5881EP提供了最大的低功耗接口
灵活性。该驱动器包括热关断电路保护
对高结温与钳位二极管损坏
对于感性负载瞬态抑制。
CMOS输入产生最少的电路负载,并相容
IBLE与标准CMOS , PMOS和NMOS电路。 TTL或DTL
电路可能需要使用适当的上拉电阻。当
回读,每一个数据输入会下沉8毫安(如果相应的锁存器
低)或源400
µA
(如果相应的锁存器为高) 。读
回特性对于错误检查。它允许系统验证
数据已被接收并锁存。
双极性输出适合与低功率继电器使用中,
螺线管,步进电动机。在非常低的输出饱和
电压使该器件非常适用于驱动LED阵列。该
输出晶体管能够下沉50毫安,并会在保持
至少20处于OFF状态V 。输出可以并联,以提高
电流的能力。
数据表
26180.16
绝对最大额定值
输出电压V
OUT
. . . . . . . . . . . . . .
20 V
输出端耐受电压,V
CE ( SUS)
. . .
15 V
输出电流,I
OUT
. . . . . . . . . . . .
50毫安
输入电压范围,
V
IN
. . . . . . . . . . .
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
逻辑电源电压,V
DD
. . . . . . . . . .
15 V
封装功耗,
P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
请参阅图表
工作温度范围,
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . .
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围,
T
S
. . . . . . . . . . . . . . .
-55
°
C至+150
°
C
注意: CMOS器件具有输入静态
保护,但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
T
C
ü ÿ
平负
0:N
R 0
P·E
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I
五六
否E
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C R
S 0
I
D F
DWG 。编号A- 14225
该UCN5881EP双8位锁存下沉式驱动器的额定操作
化在-20 ℃至+ 85 ℃的温度范围,并在一个被供给
塑料44引脚芯片载体符合JEDEC MS- 007AB
轮廓。
特点
s
s
s
s
s
s
4.4 MHz的最小数据输入速率
低功耗CMOS逻辑器件
20 V,50 MA(最大)输出
瞬态保护的输出
热关断保护
低调的引线芯片载体
通过完整的部件号总是命令:
UCN5881EP 。
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