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![]() 6B595 超前信息 (如有更改,恕不另行通知) 2000年1月24日 NO 连接 逻辑 供应 串行 DATA IN OUT 0 OUT 1 OUT 2 OUT 3 注册 明确 产量 启用 地 NO 连接 地 串行 数据输出 OUT 7 OUT 6 OUT 5 OUT 4 时钟 频闪 地 8位串行输入, DMOS功率驱动器 该A6B595KA和A6B595KLW结合一个8位CMOS移位 注册和伴随数据锁存器,控制电路,和DMOS 功率驱动器输出。功率驱动器应用包括继电器,电磁铁 noids ,和其他中等电流或高电压的外围功率 负载。 串行数据输入, CMOS移位寄存器和锁存允许直接 以微处理器为基础的系统的接口。串行数据输入速率 超过5兆赫。使用带有TTL可能需要相应的上拉 电阻,以确保输入的逻辑高。 CMOS串行数据输出允许在应用程序级联 阳离子需要附加驱动线路。类似的设备与减少 r DS ( ON) 可用为A6595KA和A6595KLW 。 该A6B595 DMOS漏极开路输出可吸收高达的 500毫安。所有输出驱动器被禁止(在DMOS宿 司机关闭)由OUTPUT ENABLE输入高。 该A6B595KA被布置在一个20脚双列直插式塑料 封装。该A6B595KLW拥有一种宽体小外形 塑料封装( SOIC )与鸥翼引线。铜引线框架, 降低电源电流的要求,以及低导通电阻允许 这两种设备下沉150毫安从所有输出连续,到环境 温度超过85°C 。 数据表 26185.122 1 2 3 4 NC V DD NC 20 19 18 17 注册 注册 锁存器 锁存器 5 6 7 8 9 10 CLR OE 16 15 14 CLK ST 13 12 11 DWG 。 PP- 029-12 注意, A6B595KA (DIP )和 A6B595KLW (SOIC)电相同的,并且 共享一个公共端子编号分配。 绝对最大额定值 在T A = 25 ° C 输出电压V O ............................... 50 V 输出漏电流, 连续的,我 O .......................... 150毫安* 山顶,我 OM ................................... 500毫安† 单脉冲雪崩能量, E AS ................................................. 30兆焦耳 逻辑电源电压,V DD .................. 7.0 V 输入电压范围, V I ................................... 0.3 V至7.0 V 封装功耗, P D ........................................... 请参阅图表 工作温度范围, T A ................................. -40 ° C至+ 125 ° C 存储温度范围, T S ................................. -55 ° C至+150 ° C *每路输出,所有输出上。 =脉冲持续时间 ≤ 100 µs, 占空比 ≤ 2%. 注意:这些CMOS器件具有输入静态 保护( 3级) ,但仍容易受到 伤害,如果暴露在极高的静电 电荷。 特点 s 50 V最小输出钳位电压 s 150毫安输出电流(同时所有输出) s 5 Ω 典型 r DS ( ON) s 低功耗 s 替代TPIC6B595N和TPIC6B595DW 通过完整的部件号总是命令: 产品型号 包 A6B595KA 20引脚DIP A6B595KLW 20引脚SOIC R θJA 55°C/W 70°C/W R θJC 25°C/W 17°C/W
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