6B595

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2000年1月24日

NO

连接

逻辑

供应

串行

DATA IN

OUT

0

OUT

1

OUT

2

OUT

3

注册

明确

产量

启用

地

NO

连接

地

串行

数据输出

OUT

7

OUT

6

OUT

5

OUT

4

时钟

频闪

地

8位串行输入，

DMOS功率驱动器

该A6B595KA和A6B595KLW结合一个8位CMOS移位

注册和伴随数据锁存器，控制电路，和DMOS

功率驱动器输出。功率驱动器应用包括继电器，电磁铁

noids ，和其他中等电流或高电压的外围功率

负载。

串行数据输入， CMOS移位寄存器和锁存允许直接

以微处理器为基础的系统的接口。串行数据输入速率

超过5兆赫。使用带有TTL可能需要相应的上拉

电阻，以确保输入的逻辑高。

CMOS串行数据输出允许在应用程序级联

阳离子需要附加驱动线路。类似的设备与减少

r

DS （ ON）

可用为A6595KA和A6595KLW 。

该A6B595 DMOS漏极开路输出可吸收高达的

500毫安。所有输出驱动器被禁止（在DMOS宿

司机关闭）由OUTPUT ENABLE输入高。

该A6B595KA被布置在一个20脚双列直插式塑料

封装。该A6B595KLW拥有一种宽体小外形

塑料封装（ SOIC ）与鸥翼引线。铜引线框架，

降低电源电流的要求，以及低导通电阻允许

这两种设备下沉150毫安从所有输出连续，到环境

温度超过85°C 。

数据表

26185.122

1

2

3

4

NC

V

DD

NC

20

19

18

17

注册

注册

锁存器

锁存器

5

6

7

8

9

10

CLR

OE

16

15

14

CLK

ST

13

12

11

DWG 。 PP- 029-12

注意， A6B595KA （DIP ）和

A6B595KLW （SOIC）电相同的，并且

共享一个公共端子编号分配。

绝对最大额定值

在T

A

= 25

°

C

输出电压V

O

...............................

50 V

输出漏电流，

连续的，我

O

..........................

150毫安*

山顶，我

OM

...................................

500毫安†

单脉冲雪崩能量，

E

AS

.................................................

30兆焦耳

逻辑电源电压，V

DD

..................

7.0 V

输入电压范围，

V

I

...................................

0.3 V至7.0 V

封装功耗，

P

D

...........................................

请参阅图表

工作温度范围，

T

A

.................................

-40

°

C至+ 125

°

C

存储温度范围，

T

S

.................................

-55

°

C至+150

°

C

*每路输出，所有输出上。

=脉冲持续时间

≤

100

µs,

占空比

≤

2%.

注意：这些CMOS器件具有输入静态

保护（ 3级） ，但仍容易受到

伤害，如果暴露在极高的静电

电荷。

特点

s

50 V最小输出钳位电压

s

150毫安输出电流（同时所有输出）

s

5

Ω

典型

r

DS （ ON）

s

低功耗

s

替代TPIC6B595N和TPIC6B595DW

通过完整的部件号总是命令：

产品型号

包

A6B595KA

20引脚DIP

A6B595KLW

20引脚SOIC

R

θJA

55°C/W

70°C/W

R

θJC

25°C/W

17°C/W