第4章：热插拔和上电复位的MAX V器件

上电复位电路

4–5

当I / O引脚接收到一个负ESD ZAP的引脚小于-0.7 V（ 0.7 V

是二极管两端的电压降） ，本征

p衬底/ N +漏极二极管正向偏置。因此，放电ESD电流

路径是从GND到I / O引脚，如图

图4-4 。 ESD保护在负电压扎普

来源

I / O

PMOS

门

N+

D

漏

I / O

漏

p衬底

G

NMOS

门

N+

S

来源

GND

GND

上电复位电路

MAX V器件具有上电复位电路监视V

CCINT

和V

CCIO

电压等级

在上电期间。 POR电路监测这些电压，从触发下载

非易失性配置闪存存储器块到SRAM逻辑中，并保持

三态的I / O引脚（带弱上拉电阻使能）之前，在此

流程。当MAX V器件进入用户模式，上电复位电路释放I / O

销到用户的功能。在MAX V器件的上电复位电路不监控

V

CCINT

该设备后的电压电平进入用户模式。

加电特性

当电源被应用到MAX V器件，上电复位电路监视V

CCINT

和

开始SRAM下载1.55 V的MAX V器件。从这个参考电压，则

SRAM下载和进入用户模式下最多需要200到450微秒，这取决于

在您的器件密度。这段时间被指定为t

CONFIG

在电

定时的部分

篇章。

进入用户模式是由是否所有的V门

CCIO

银行与电

足够的工作电压。如果V

CCINT

和V

CCIO

同时，在供电

器件进入内部的T用户模式

CONFIG

规格。如果V

CCIO

通电更多

于T

CONFIG

经过V

CCINT

时，设备不进入用户模式，直到所有经过V 2微秒

CCIO

银行供电。

2010年12月

Altera公司。

MAX V器件手册