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初步
Am29F800T/Am29F800B
8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS
5.0伏只,扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
扇区擦除架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
15 64字节
•任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门。
使用标准的PROM实现
编程设备。
s
嵌入式擦除算法
- 自动预先计划和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
指定的地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
就绪/忙输出( RY / BY )
- 硬件的检测方法,程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持自编程或读取数据
数据扇区没有被删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理,待机
模式
— 1
µA
典型待机电流
s
引导代码部门架构
- T =热门行业
- B =底部部门
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
概述
该Am29F800是8兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为1兆字节8的每个位或512K字
的每个16比特。对于灵活的擦除功能, 8兆比特
数据被分为19个扇区如下:一16
字节, 2字节8 , 1个32字节,而15 64字节。
八位数据显示在DQ0 - DQ7字节模式;在
字模式16位出现在DQ0 - DQ15 。该
Am29F800提供44引脚SO和48引脚TSOP
包。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
支持
层。 A V
PP
的12.0伏不需要的程序或
擦除操作。该设备还可以被编程
在标准EPROM编程器。
8/18/97
该标准Am29F800提供70纳秒, 90次访问
NS , NS 120和150纳秒,允许高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争,该设备已单独的芯片使能( CE ) ,
写使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该Am29F800完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机,其
控制擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
出版#
20375
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1997年8月
P ř Ë L I M I N A RŸ
该装置类似于读取从12.0伏闪光
或EPROM器件。
该Am29F800通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这
将调用嵌入式擦除算法是一种
内部算法自动preprograms的
数组,如果尚未执行前编
擦除操作。在擦除时,设备automat-
ically次擦除脉冲宽度和VERI音响ES正确
电池余量。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
在1.5秒。该Am29F800被删除时,
从工厂运出。
该Am29F800器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案,并
在19节的任意组合擦除操作
记忆器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能,
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据的扇区是
没有被擦除。因此,真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个5.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询,或通过触发位
( DQ6 ) 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后,设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29F800也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低,执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机,然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此,如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法,该设备将自动
matically重置为读模式,将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重新编写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29F800内存电擦除所有
通过福勒 - 去甲同时是行业内的位
dhiem隧道。该字节/字编程
1字节/字一次使用的EPROM编程
热电子注入铭机制。
2
Am29F800T/Am29F800B
8/18/97
P ř Ë L I M I N A RŸ
产品选择指南
系列型号:
订货型号: V
CC
= 5.0 V
±
10%
最大访问时间(纳秒)
CE ( E)访问( NS )
OE ( G)访问( NS )
-70
70
70
30
-90
90
90
35
Am29F800
-120
120
120
50
-150
150
150
55
框图
DQ0–DQ15
V
CC
V
SS
RY / BY
卜FF器
RY / BY
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE
字节
RESET
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE
OE
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
A–1
20375C-1
8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
3
P ř Ë L I M I N A RŸ
连接图
SO
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
VSS
OE
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
20375C-2
4
Am29F800T/Am29F800B
8/18/97
P ř Ë L I M I N A RŸ
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
标准TSOP
20375C-3
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
反向TSOP
20375C-4
8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
5
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AM29F800T-120EIB

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