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P270-DS33R200K  P270-DS32R50K  ES29DL320ET-90TGI  P270-DS31R20K  P270-DS31R10K  ES29DL320FT-70WC  ES29DL400FT-90RTGI  ES29DL320DB-80RTG  ES29DL320DT-90TGI  P270-DS33R500K  
AM29F800T-120FE 8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 (8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory)
.型号:   AM29F800T-120FE
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描述: 8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存
8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
文件大小 :   249 K    
页数 : 41 页
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品牌   AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
购买 :   
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100%
初步
Am29F800T/Am29F800B
8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS
5.0伏只,扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
扇区擦除架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
15 64字节
•任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门。
使用标准的PROM实现
编程设备。
s
嵌入式擦除算法
- 自动预先计划和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
指定的地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
就绪/忙输出( RY / BY )
- 硬件的检测方法,程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持自编程或读取数据
数据扇区没有被删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理,待机
模式
— 1
µA
典型待机电流
s
引导代码部门架构
- T =热门行业
- B =底部部门
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
概述
该Am29F800是8兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为1兆字节8的每个位或512K字
的每个16比特。对于灵活的擦除功能, 8兆比特
数据被分为19个扇区如下:一16
字节, 2字节8 , 1个32字节,而15 64字节。
八位数据显示在DQ0 - DQ7字节模式;在
字模式16位出现在DQ0 - DQ15 。该
Am29F800提供44引脚SO和48引脚TSOP
包。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
支持
层。 A V
PP
的12.0伏不需要的程序或
擦除操作。该设备还可以被编程
在标准EPROM编程器。
8/18/97
该标准Am29F800提供70纳秒, 90次访问
NS , NS 120和150纳秒,允许高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争,该设备已单独的芯片使能( CE ) ,
写使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该Am29F800完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机,其
控制擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
出版#
20375
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1997年8月
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