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B1RLV  B1REH  B1SAP  B1S  B1-XXXXDSH  B1-XXXXSS  B19HP  B1RJW  B1RA1P  B1SA1P  
AM29F800T-150ECB 8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 (8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory)
.型号:   AM29F800T-150ECB
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描述: 8兆位( 1,048,576 ×8位/ 524,288 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存
8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
文件大小 :   249 K    
页数 : 41 页
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品牌   AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
购买 :   
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
在待机模式下的输出处于高阻抗
ANCE状态,独立于OE输入。
的制造商,设备的代码也可以被读出
通过命令寄存器,用于实例时
Am29F800被擦除或在一个系统编程与 -
进出高压的A9脚。命令
序列示于表4 (见自选COM的
命令序列) 。
字节0 ( A0 = V
IL
)表示制造商的代码
( AMD = 01H )和字节1 ( A0 = V
IH
)设备identi连接器
代码( Am29F800T = D6H和Am29F800B = 58H为
x8模式; Am29F800T = 22D6H和Am29F800B =
2258H为x16模式) 。这两个字节/字的
在下表中给出。所有identi连接器生产厂家
而设备将表现出与DQ7德网络定义为奇校验
奇偶校验位。为了读取正确的设备代码
执行自动选择时, A1必须是V
IL
(见
表3和表4)。
自选模式也有利于确定
扇区保护系统。通过执行一个读出
操作在该地址处的位置XX02H与
高阶地址位A12 -A18设置为所需的
扇区地址,该设备将返回01H为一个亲
tected部门和00H的非保护部门。
输出禁用
以在逻辑高电平的参考输入(Ⅴ
IH
从输出)
该设备被禁用。这将导致输出管脚
是在高阻抗状态。
自选
自选模式允许二进制文件的读取
代码从设备和将识别它的制造商
和类型。此模式适用于使用由编程
明装自动的目的
相匹配的装置,其corre-被编程
应的编程算法。此模式是功能
tional在器件的整个温度范围内。
以激活此模式中,编程设备
必须强制V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚A9 。
两个标识符字节然后可从测序
从V切换地址A0器件输出
IL
到V
IH
.
所有的地址都不用管它,除了A0 ,A1和A6
(见表3)。
表3中。
TYPE
制造商代码, AMD
字节
Am29F800T
Am29F800设备
字节
Am29F800B
扇区保护
扇形
地址
X
X
Am29F800扇区保护验证自选代码
A12–A18
X
A6
V
IL
V
IL
A1
V
IL
V
IL
A0
V
IL
V
IH
代码(十六进制)
01H
D6H
22D6H
58H
V
IL
V
IL
V
IH
2258H
01H*
V
IL
V
IH
V
IL
* 01H输出的保护扇区地址
表4 。
TYPE
制造商代码, AMD
Am29F800T(B)
Am29F800
设备
CODE
01H
D6H
DQ
15
0
DQ
14
0
扩大自选代码表
DQ
13
0
DQ
12
0
DQ
11
0
DQ
10
0
DQ
9
0
DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
A- 1 HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
1
0
0
0
1
0
(W)的22D6H
Am29F800B(B)
58H
(W)的2258H
01H
A- 1 HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
扇区保护
(B ) - 字节模式
( W) - 字模式
8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
9
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