MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
Am29SL400C
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
Am29SL400C_00
调整
A
修订
6
发行日期
2007年1月23日
这页有意留为空白。
数据表
Am29SL400C
4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 1.8
伏只超低电压闪存
特色鲜明
单电源工作
- 1.65〜 2.2 V的读取,编程和擦除操作
- 非常适合电池供电的应用
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 访问时间以最快的速度为100 ns
超低功耗(在典型值
5兆赫)
1 μA自动睡眠模式电流
1微安的待机模式下的电流
5毫安读取电流
20毫安编程/擦除电流
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,七
64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,七
32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定机构的硬件方法,以防止任何
该部门内部编程或擦除操作
扇区可被锁定在系统或通过编程
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本​​或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
Am29SL400C_00
启:
A
修订:
6
发行日期:
2007年1月23日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29SL400C是为4Mbit , 1.8 V电压,仅闪存
组织为524,288字节或262,144字。该装置是
采用48引脚TSOP和48球FBGA封装。该
字宽的数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽
( X8 )的数据显示在DQ7 - DQ0 。本设备被设计为
进行编程和擦除在系统与单个1.8伏
V
CC
供应量。无V
PP
是在用于写或擦除操作。
该设备还可以在标准EPROM编程
程序员。
该标准的设备提供的100存取时间,110, 120 ,
和150纳秒,使高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用设备
拥有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单1.8伏电源
读取和写入功能。内部生成和规定
提供了用于在程序迟来的电压和擦除操作
系统蒸发散。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COMMANDS
使用标准微量写入到命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和亲
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。这将启动
嵌入式程序
AL-
gorithm -内部算法,可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的编程时间
通过要求只有两个写周期编程数据,而不是
4 。
设备擦除时通过执行擦除命令SE-
quence 。这将启动
嵌入式擦除
算法的
内部算法自动preprograms阵列
(如果它尚未编程)执行擦除前
操作。在擦除,设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成,通过观察RY / BY #引脚,或通过读
荷兰国际集团的DQ7 (数据#投票)和DQ6 (切换)
状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成,单片机
副准备读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在-系来实现
TEM或通过编程设备。
擦除挂起
功能允许用户将擦除
搁置任何一段时间内读取,或程序数据
数据,即未选择擦除任何部门。真
背景擦除可以由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备,
使系统微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
2
Am29SL400C
Am29SL400C_00_A6 2007年1月23日
D A T A
中文ê (E T)
目录
目录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29SL400C设备总线操作............ 9
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................ 20
图6.切换位算法..................................... 21
DQ5 :超出时序限制.............................. 21
DQ3 :扇区擦除定时器..................................... 21
表6.写操作状态.................................. 22
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图7.最大负过冲波形... 23
图8.最大正过冲波形..... 23
字/字节配置........................................ 9
对于读阵列数据................... 9需求
写命令/命令序列............ 9
编程和擦除操作状态.................. 10
待机模式................................................ ...... 10
自动休眠模式......................................... 10
RESET # :硬件复位引脚............................. 10
输出禁止模式............................................ 10
表2. Am29SL400CT热门引导块
扇区地址表............................................... ... 11
表3. Am29SL400CB底部引导块,
扇区地址表............................................... ... 11
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和非盟
tomatic休眠电流) .............................................. 25
图10.典型I
CC1
与频率........................ 25
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图11.测试设置............................................. ..... 26
表7.测试规范........................................ 26
关键开关波形................................ 26
图12.输入波形
和测量水平............................................ 26
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图13.读操作时序.......................... 27
图14. RESET #时序........................................ 28
图15. BYTE #时序进行读操作......... 29
图16. BYTE #时序写操作......... 29
图17.编程操作时序....................... 31
图18.芯片/扇区擦除操作时序........ 32
图19.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ................................... 33
图20.触发位计时
(在嵌入式算法) ................................... 33
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ... 34
自选模式................................................ ... 11
表4. Am29SL400C自选代码
(高压法) ............................................. ... 12
扇区保护/ unprotection的............................ 12
临时机构撤消................................ 12
图2.临时机构撤消操作....... 14
硬件数据保护.................................... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据.............................................. 15
复位命令................................................ 15 ..
自选命令序列.......................... 15
字/字节编程命令序列........... 15
图3.程序操作...................................... 16
临时机构撤消................................ 34
图22.临时机构撤消
时序图................................................ ........... 34
图23.部门保护/撤消时序图。 35
图24.备用CE #控制
写操作时序.............................................. 37
芯片擦除命令序列......................... 16
扇区擦除命令序列...................... 16
图4.擦除操作........................................... 17
命令定义........................................... 18
表5. Am29SL400C命令定义............ 18
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
DQ7 :数据#投票............................................. .. 19
图5.数据#轮询算法............................... 19
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... 19
DQ6 :切换位I ............................................. ..... 20
DQ2 :触发位II ............................................. .... 20
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 38
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS048-48针标准TSOP .......................... 40
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8毫米包装............................................. ... 41
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
2007年1月23日Am29SL400C_00_A6
Am29SL400C
3
相关元器件产品Datasheet PDF文档

AM29SL400CT100RED

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
24 AMD

AM29SL400CT100RED

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
3 SPANSION

AM29SL400CT100REF

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
10 SPANSION

AM29SL400CT100REF

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
39 AMD

AM29SL400CT100REI

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
8 AMD

AM29SL400CT100REI

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
3 SPANSION