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A43P26161
初步
文档标题
1M ×16位×4银行低功耗同步DRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
1.1
1M ×16位×4银行低功耗同步DRAM
历史
创刊号
修改133MHz的& 105MHz
修改所有的DC规格的新产品
修改吨
SS
从3纳秒到2ns的
发行日期
2004年9月13日
2005年6月10日
2005年7月11日
备注
初步
初步
( 2005年7月, 1.1版)
AMIC技术股份有限公司
A43P26161
初步
特点
低电源
- VDD : 2.5V VDDQ : 2.5V
LVCMOS与复用地址兼容
四家银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度( 1,2,4,8 &整版)
-
突发类型(顺序&交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
深度掉电模式
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
时钟频率(最大) : 105MHz @ CL = 3 ( -95 )
为133MHz @ CL = 3 ( -75 )
1M ×16位×4银行低功耗同步DRAM
64ms的刷新周期( 4K周期)
自刷新通过可编程的刷新周期
EMRS周期
偏可编程电源缩小功能
在通过EMRS自刷新阵列激活
周期
工业工作温度范围: -40 ° C至+ 85°C
为-U系列。
可在54球CSP (采用8mm x 8毫米)和54针
TSOP (II)的包。
包可用于无铅( -F系列)
概述
该A43P26161是67108864位低功耗
同步高数据速率动态随机存储器划分为4
X 1,048,576字×16位,制造与AMIC高
高性能CMOS技术。同步设计
允许与使用系统时钟的精确循环控制。
I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许
相同的设备,以对各种高有用
带宽,
性能
内存
系统
应用程序。
引脚配置
54球CSP (8毫米× 8毫米)
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
J
1
VSS
DQ
14
DQ
12
DQ
10
DQ
8
UDQM
NC
A8
VSS
54球( 6X9 ) CSP
2
3
7
DQ
15
VSSQ
VDDQ
DQ
13
VDDQ
VSSQ
DQ
11
VSSQ
VDDQ
DQ
9
VDDQ
VSSQ
NC
VSS
VDD
CLK
CKE
CAS
A11
A7
A5
A9
A6
A4
BA0
A0
A3
8
DQ
0
DQ
2
DQ
4
DQ
6
LDQM
9
VDD
DQ
1
DQ
3
DQ
5
DQ
7
RAS
BA1
A1
A2
WE
CS
A10
VDD
初步
( 2005年7月, 1.1版)
1
AMIC技术股份有限公司
A43P26161
引脚配置(续)
54 TSOP (II)的
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
12
DQ
14
DQ
13
DQ
11
DQ
10
UDQM
VDDQ
VSSQ
CKE
VSS
VSS
DQ
8
VSS
VDD
CLK
DQ
9
NC
A11
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A2
A4
A3
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28
A43P26161V
1
VDD
2
DQ
0
3
VDDQ
4
DQ
1
5
DQ
2
6
VSSQ
7
DQ
3
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
VSSQ
CS
BS0
BS1
A0
WE
A10/AP
CAS
VDD
LDQM
VDDQ
RAS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A1
框图
LWE
I / O控制
BANK SELECT
数据输入寄存器
DQM
行缓冲区
刷新计数器
行解码器
1M ×16
1M ×16
1M ×16
1M ×16
输出缓冲器
SENSE AMP
地址寄存器
CLK
DQI
LCBR
LRAS
柱缓冲液
添加
列解码器
延迟&突发长度
LRAS
LCAS
LRAS
LCBR
LWE
LWCBR
注册时间
编程注册
DQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
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( 2005年7月, 1.1版)
2
AMIC技术股份有限公司
A43P26161
引脚说明
符号
名字
描述
CLK
CS
系统时钟
芯片选择
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和L ( U) DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+之前的tss到新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A11
地址
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
BS0 , BS1
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
列地址
频闪
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
动力
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
RAS
锁存的列地址,在CLK的与正向边沿
CAS
低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻,时钟和面具后输出吨SHZ 。
块中的数据输入时, L( U) DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源: + 2.3V 〜 2.7V /地面
提供隔离的电源/地来的DQ ,以提高抗噪声能力。
CAS
WE
L( U) DQM
DQ
0-15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC / RFU
初步
( 2005年7月, 1.1版)
3
AMIC技术股份有限公司
A43P26161
绝对最大额定值*
电压的任何引脚相对于VSS ( VIN,VOUT ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 3.0V
在相对于VSS VDD电源电压(VDD和VDDQ )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0V至+ 3.0V
存储温度(T
英镑
) . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
焊接温度×时间(T
SLODER
) . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
°
Ç X 10秒
功耗(P
D
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8W
短路电流( IOS) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
*评论
如果“绝对永久性设备损坏,可能会出现
最大额定值“被超过。
功能操作应仅限于推荐
的操作条件。
暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
电容(T
A
= 25 ° C,F = 1MHz的)
参数
符号
条件
最大
单位
输入电容
CI1
CI2
A0到A11 , BS0 , BS1
CLK , CKE ,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM
DQ0到DQ15
2.0
2.0
3.5
4.0
4.0
6.0
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
CI / O
DC电气特性
推荐工作条件
(电压参考VSS = 0V ,T
A
= 0°C至+ 70°C商业或T
A
= -40°C至+ 85°C扩展)
参数
符号
典型值
最大
单位
电源电压
DQ电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
VDD
VDDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
2.3
2.3
0.8*VDDQ
-0.3
VDDQ - 0.2
-
-1
-1.5
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
2.7
2.7
VDDQ+0.3
0.3
-
0.2
1
1.5
V
V
V
V
V
V
µ
A
µ
A
注1
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
注2
注3
参见图。 1 (第6页)
注意:
1. V
IL
(分钟) = -1.5V AC(脉冲宽度
5ns).
2.任何输入0V
VIN
VDD + 0.3V ,所有其他引脚都没有被测= 0V
3. Dout为禁用, 0V
VOUT
VDD
初步
( 2005年7月, 1.1版)
4
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20 AMICC

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20 AMICC

A43P26161V-95U

1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
20 AMICC

A43P26161V-95UF

1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
19 AMICC

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24 AMICC