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AMS2301A
描述
AMS2301A
是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,它是
采用高密度生产, DMOS沟technology.This高密度工艺
特别是针对减少通态resistance.These器件特别适用于
低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑的电源管理,
其它电池供电的电路,并且低线的功率损耗是必需的。该产品是在一个
非常小外形表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
-20V/-3.2A,
R
DS ( ON)
= 85米(典型值)。
@V
GS
= -4.5V
-20V / -2.0A ,R
DS ( ON)
= 100m
@V
GS
= -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23
3
S01YA
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
1
先进的单片系统
http://www.ams-semitech.com
AMS2301A
ABSOULTE最大额定值
( TA = 25
除非另有说明)
参数
符号
典型
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±
12
V
连续漏电流( TJ = 150
)
T
A
=25℃
T
A
=70
I
D
-3.2
-2.0
A
漏电流脉冲
I
DM
-10
A
连续源电流(二极管传导)
I
S
-1.6
A
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70
P
D
1.25
0.8
W
工作结温
T
J
150
存储温度范围
T
英镑
-55/150
热阻,结到环境
R
θ
JA
120
/W
2
先进的单片系统
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AMS2301A
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
符号
条件
典型值
最大
单位
STATIC
漏源击穿
电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
-20
-0.45
V
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
= VGS ,我
D
=-250uA
-1.5
V
栅极漏电流
I
GSS
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
±
100
nA
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
零栅压漏
当前
I
DSS
-1
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55
-10
0.100
0.085
uA
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.2A
Ω
正向跨导
g
fs
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8V
6.5
S
二极管的正向电压
V
SD
I
S
=-1.6A,V
GS
=0V
-0.8
-1.2
V
动态
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
V
DS
=-6V
V
GS
=-4.5V
I
D
-2.8A
5.8
10
nC
0.85
1.7
输入电容
输出电容
反向传输
电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=-6V
V
GS
=0V
F=1MH
z
415
223
87
pF
开启时间
t
D(上)
tr
打开-O FF时间
t
D(关闭)
tf
V
DD
=-6V
R
L
=6
Ω
I
D
=-1A
V
=-4.5V
R
G
=6
Ω
13
25
36
60
nS
42
70
34
60
3
先进的单片系统
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典型CHARACTERICTICS
(25
除非另有说明)
4
先进的单片系统
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典型CHARACTERICTICS
(25
除非另有说明)
5
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