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HF49F/005-1H2GFXXX  HF439/N018D  HF431/S115C  HF439/N048B  HF439/S072B  HF439/N018C  HF439/N072C  HF439/S115D  HF49F/005-1H1GTFXXX  HF43F/012-HSTXXX  
AMS73CAG01408RAUJH8E 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM (HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM)
.型号:   AMS73CAG01408RAUJH8E
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描述: 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM
文件大小 :   683 K    
页数 : 31 页
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品牌   AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
购买 :   
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100%
AMS73CAG01808RA
模式寄存器MR0
该模式寄存器MR0存储数据,控制DDR3 SDRAM的各种操作模式。它CON组
trols突发长度,读突发类型, CAS延迟,测试模式, DLL复位, WR和DLL控制预充电
断电,其中包括各种特定供应商的选择,使DDR3 SDRAM可用于各种应用程序
阳离子。该模式寄存器写的是主张低CS , RAS , CAS,WE , BA0 , BA1和BA2 ,而
按照下表控制的地址引脚的状态。
BA
2
BA
1
BA
0
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
地址栏
0*
1
0
0
0*
1
PPD
WR
DLL
TM
CAS延迟
彩铃
CL
BL
模式寄存器0
A8
0
1
复位DLL
No
是的
A7
0
1
模式
正常
TEST
A3
0
1
读突发类型
四位顺序
交错
A1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
BL
8 (固定)
4个或8 (上飞)
4 (FI固定的)
版权所有
A12
0
1
DLL控制
预充电PD
缓慢退出( DLL关闭)
快速退出( DLL上)
写复苏autoprecharge
A11
0
0
0
A10
0
0
1
1
0
0
1
1
A9
0
1
0
1
0
1
0
1
WR (次)
版权所有
5
*2
6
*2
7
*2
8
*2
10
*2
12
*2
版权所有
CAS延迟
A6
0
0
0
0
1
1
1
1
A5
0
0
1
1
0
0
1
1
A4
0
1
0
1
0
1
0
1
A2
0
0
0
0
0
0
0
0
潜伏期
版权所有
5
6
7
8
9
10
11(可选的
DDR3-1600)
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
MRS模式
MR0
MR1
MR2
MR3
0
1
1
1
1
* 1: BA 2和A13被保留以供将来使用和MRS期间必须被编程为0。
* 2: WR (写恢复为autoprecharge )分钟,在时钟周期是由TCK除以tWR的(单位:ns )(单位:ns )和舍入到计算
下一个整数: WRmin [次] =综合报道( tWR的[ NS ] / TCK [ NS ] ) 。在模式寄存器中的WR值必须被编程为等于或
比WRmin大。编程WR值用于与tRP的确定tDAL 。
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
7
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