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HJK-20VH  BL-HJFGE34B-TRB  AL-HJF36D  BL-HJF36D-TRB  
AMS73CAG01808RALJI9 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM (HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM)
.型号:   AMS73CAG01808RALJI9
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描述: 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM
文件大小 :   683 K    
页数 : 31 页
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品牌   AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
购买 :   
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100%
AMS73CAG01808RA
AMS73CAG01808RA
高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
8家银行X的16Mbit ×8
- H7
DDR3-1066
时钟周期时间(T
CK6 , CWL = 5
)
时钟周期时间(T
CK7 , CWL = 6
)
时钟周期时间(T
CK8 , CWL = 6
)
时钟周期时间(T
CK9 , CWL = 7
)
时钟周期时间(T
CK10 , CWL = 7
)
系统频率(F
CK MAX
)
2.5纳秒
1.875纳秒
1.875纳秒
-
-
533兆赫
- I9
DDR3-1333
2.5纳秒
1.875纳秒
1.875纳秒
1.5纳秒
1.5纳秒
667
特定网络阳离子
-
-
-
特点
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
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-
-
密度: 1G位
组织: 16M字× 8位×8银行
包装:
- 78球FBGA
- 无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: VDD , VDDQ = 1.5V ± 0.075V
数据传输速率: 1333Mbps / 1066Mbps (最大)
1KB的页面大小
- 行地址: A0到A13
- 列地址: A0到A9
八个内部银行的并发操作
接口: SSTL_15
突发长度( BL ) : 8和4突发印章( BC)
突发类型(BT) :
- 顺序( 8,4与BC)
- 交错( 8,4与BC)
CAS延迟(CL) : 5 ,6,7 ,8,9 ,10,11
CAS写入延迟( CWL ) : 5 , 6 , 7 , 8
预充电:每个自动预充电选项爆AC-
塞斯
驱动力: RZQ / 7 , RZQ / 6 ( RZQ = 240
Ω)
刷新:自动刷新,自刷新
更新周期:
- 平均更新周期
7.8
μs
在0 ℃,
Tc
+85°C
3.9
μs
在+ 85°C <锝
+95°C
工作温度范围
- 锝= 0 ° C至+ 95°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和DQS)
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
通过为bet-可编程的附加延迟中科院发布
器指令和数据总线效率
片上端接( ODT)为更好的信号质量
- 同步ODT
- 动态ODT
- 异步ODT
多用途寄存器( MPR )的预定义样式
读出
ZQ校准DQ驱动和ODT
可编程部分阵列自刷新( PASR )
RESET引脚上电顺序和复位功能
SRT范围:标准/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
设备使用图
操作
温度
范围
0°C
Tc
95°C
-40°C
Tc
95°C
AMS73CAG01808RA
Rev.1.0 2010年12月
包装外形
78球FBGA
- H7
速度
- I9
1
标准。
动力
L
温度
标志
空白
I
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