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AMS73CAG02408RALJI9 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM (HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM)
.型号:   AMS73CAG02408RALJI9
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描述: 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM
文件大小 :   683 K    
页数 : 31 页
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品牌   AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
购买 :   
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100%
AMS73CAG01808RA
CKE真值表
(一)注1 〜 7适用于整个命令真值表
(二) CKE低只允许如果超过tMRD和TMOD满意
CKE
当前状态
2
命令( N)
1
3
前一个周期
(N-1)
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
1
当前周期
(N)
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
行动( N)
3
RAS , CAS,WE , CS
X
取消或NOP
X
取消或NOP
取消或NOP
取消或NOP
取消或NOP
取消或NOP
取消或NOP
取消或NOP
刷新
保持掉电
掉电退出
保持自刷新
自刷新退出
主动断电进入
断电进入
断电进入
断电进入
预充电断电进入
预充电断电进入
自刷新进入
笔记
掉电
14, 15
11, 14
15, 16
8, 12, 16
11, 13, 14
11, 13, 14, 17
11, 13, 14, 17
11, 13, 14, 17
11
11,13, 14, 18
9, 13, 18
10
自刷新
BANK (S ) ACTIVE
阅读
写作
预充电
凉爽
所有银行闲置
对于所有的信号更多详细信息,请参阅“命令真值表, ”前一页
注意事项:
1. CKE ( N)为CKE在时钟边沿n中的逻辑状态; CKE (N-1 )中,在前面的时钟边沿CKE的状态。
2.当前状态之前立即时钟边沿N个所定义的DDR3 SDRAM的状态
3.命令( N)是在时钟边沿N,和行动( N)注册的命令是COMMAND ( N)的结果, ODT是不包括在这里
4.所有的国家,而不是显示的序列是非法或保留,除非明确本文档中描述的其他地方
5. ODT的状态不会影响在该表中所描述的状态。该ODT功能不可用期间自刷新
6. CKE必须登记在tCKEmin连续正时钟沿相同的值。 CKE必须保持在有效的输入电平的整个时间它
需要实现registeration的tCKEmin时钟。因此,任何CKE转变之后, CKE可能不会从它的有效电平的时间段期间过渡
的TIS + tCKEmin + TIH 。
7.取消选择和NOP在命令真值表定义
8.在自刷新退出DESELECT或NOP命令必须在在TXS期间发生的每一个时钟边沿发出。读或ODT命令
可发出后,才tXSDLL满意。
9.自刷新模式只能从银行的所有空闲状态进入。
10.必须是合法的命令,在命令真值表定义。
用于掉电出入境11.有效的命令NOP和只能取消选择。
对于自刷新退出12.有效命令是NOP和只能取消选择。
13.自刷新不能进入,同时读或写操作。见“自刷新操作”和“省电模式”。
后面的部分为
限制清单。
14.掉电不执行任何刷新操作。
15. “X ”是指“唐”T护理(包括左右浮动V
REF
) “中的自刷新和掉电。它也适用于地址引脚
16. V
REF
(两个V
REFDQ
和V
REFCA
)必须自刷新操作期间得到保持。
17.如果所有银行都在读结束封闭,写或预充电命令,然后预充电掉电输入,否则有功功率
向下进入
18. “待机状态”的意思是所有银行都关闭(TRP , tDAL等满意)和CKE高,从以前的所有操作时序满意
(超过tMRD , TMOD , tRFC , tZQinit , tZQoper , tZQCS等)以及所有SRF退出和关机退出参数都满足( TXS , TXP , tXPDLL等)
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
12
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