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AMS73CAG02408RALJI9 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM (HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM)
.型号:   AMS73CAG02408RALJI9
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描述: 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM
文件大小 :   683 K    
页数 : 31 页
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品牌   AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
购买 :   
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100%
AMS73CAG01808RA
绝对最大额定直流电压
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
DD
相对于VSS引脚
在V电压
DDQ
相对于VSS引脚
任何引脚相对于VSS的电压
储存温度
等级
-0.4 V ~ 1.975 V
-0.4 V ~ 1.975 V
-0.4 V ~ 1.975 V
-55到+100
单位
V
V
V
°C
笔记
1,3
1,3
1
1,2
注意:
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值,设备运行在这些或以上indi-任何其他条件
符在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间会影响其可靠性。
2.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。对于测量
条件,请参阅JESD51-2标准。
3. V
DD
和V
DDQ
必须在彼此的时候都为300mV ;和V
REF
必须不小于0.6× V更大
DDQ
,
当V
DD
和V
DDQ
都小于500mV的; V
REF
可以等于或小于300mV的。
工作温度条件
符号
T
C
参数
工作温度
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1,2,3
注意:
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.正常温度范围规定,所有的DRAM规格将支持温度。中
操作中,必须保持在0 ℃至+ 85 ℃下的DRAM的情况下,温度在所有操作条件下。
3.有些应用需要在+ 85° C和+ 95°C扩展级温度范围DRAM的操作
外壳温度。规格齐全,保证在这个范围内,但以下附加条件:
一)刷新命令必须在频率提高一倍,从而降低刷新间隔tREFI到3.9μs 。
(这种双重刷新规定可能不适用于某些设备。 )
b)若需要,在扩展温度范围自刷新操作,则它是强制性的,以任一使用
手动自刷新模式,支持扩展温度范围的能力( MR2位[ A6 , A7 ] = [ 0,1 ] )或启用
可选的自动自刷新模式( MR2位[ A6 , A7 ] = [ 1,0 ] ) 。
建议的直流工作条件
等级
符号
V
DD
V
DDQ
参数
电源电压
电源电压输出
分钟。
1.425
1.425
典型值。
1.5
1.5
马克斯。
1.575
1.575
单位
V
V
笔记
1,2
1,2
注意:
1.在所有条件下的VDDQ必须小于或等于VDD。
2. VDDQ跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD和VDDQ绑在一起。
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
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