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ALQ50G48  K12ALYE15NL3271R  K12ALYE15N  SPM-7700ALWG  ALS-PT243-3C/L177  ALQ50G48  K12ALYE25N  ALS-PDIC15-21C/L230/TR8  ALS-PDIC17-55C  ALQ50  
AMS73CAG02408RALJI9 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM (HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM)
.型号:   AMS73CAG02408RALJI9
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描述: 高性能的1Gbit DDR3 SDRAM
HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM
文件大小 :   683 K    
页数 : 31 页
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品牌   AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
购买 :   
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100%
AMS73CAG01808RA
信号引脚说明
CK , CK
TYPE
输入
功能
时钟:
CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样的
CK和CK的下降沿的正面边缘的交叉。输出(读出)的数据被引用到
CK和CK的口岸
时钟使能:
CKE高激活,并且CKE低停用,内部时钟信号和输入设备
缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电掉电和自刷新能操作
通报BULLETIN (所有银行闲置) ,或Active掉电(行活动在任何一家银行) 。 CKE是异步的自我
刷新退出。 V后
REFCA
上的电源和初始化序列期间已经稳定,就必须
在所有操作(包括自刷新)来维持。 CKE必须保持高通量
读取和写入访问。输入缓冲器,但不包括CK , CK , ODT和CKE是加电过程中禁用
下来。输入缓冲器,除CKE ,被禁止在自-refresh 。
片选:
当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了使用外部排名
选择与多个队伍体系。 CS被认为是命令代码的一部分。
片上终端:
ODT (注册HIGH )使终端电阻内部的DDR3
SDRAM 。当启用时, ODT仅施加到每个DQ , DQS , DQS和DM / TDQS ,NU / TDQS 。
如果模式寄存器( MR1 )是亲编程禁用ODT的ODT引脚将被忽略。
输入命令:
RAS , CAS和WE (连同CS )被定义输入的命令。
输入数据掩码:
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM采样输入数据被屏蔽
高coinci凹痕与输入的数据在写访问。 DM进行采样DQS的两边。
银行地址输入:
BA0 - BA2确定哪个银行的积极,读,写或预充电命令
被应用。银行地址也确定哪个模式寄存器是一个MRS期间访问
周期。
地址输入:
所提供的行地址为有效的命令和列地址进行读/
写命令,以选择一个位置在各行的存储器阵列的。 ( A10 / AP和
A12 / BC有额外的功能,见下文)的地址输入过程中也提供了操作码
模式寄存器设置命令。
Autoprecharge :
A10是在读/写命令取样以确定是否Autoprecharge
应该是每个形成为读/写操作后,所访问的银行。 (高: Autoprecharge ;
低:一个预充电命令中没有Autoprecharge ) A10进行采样,以确定是否预
收费适用于一家银行( A10低)或所有银行( A10高点) 。如果只有一个存储体是被预充电,
银行选择通过银行地址。
突发印章:
在读A12采样和写入命令,以确定是否爆裂斩(上即时)
将每个形成的。 (高:不爆裂斩, LOW :爆裂斩) 。请参见命令真值表细节。
低电平有效异步复位:
复位有效时, RESET为低,且处于非活动状态时, RESET
为HIGH 。复位必须在正常操作期间为高电平。 RESET是CMOS轨到轨信号与DC
高和低于80 %和VDD的20 %,即1.20V直流高和0.30V直流低。
数据输入/输出:
双向数据总线。
数据选通:
输出读取数据,输入与写入数据。边沿对齐的读数据,集中在
写入数据。数据选通信号DQS的成对差分信号DQS ,以提供差分对显
naling到系统中读取和写入。 DDR3 SDRAM支持差分数据选通信号和唯一
不支持单端。
CKE
输入
CS
ODT
输入
输入
RAS , CAS , WE
DM
BA0 - BA2
输入
输入
输入
A0 - A13
输入
A10 / AP
输入
A12 / BC
RESET
输入
输入
DQ0 - DQ7
DQS , DQS
输入/
产量
输入/
产量
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
4
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