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描述:
M74HC373RM13T  MAX4418  LT1946EMS8  MAX4416EUA  MAX6462XR26-T  M68HC711CFG  LTC1872ES6  MAX4414  MAC08MT1  M74HC4052M1R  
VDD25SCTA 低电压,低功耗, 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路 (Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit)
.型号:   VDD25SCTA
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描述: 低电压,低功耗, 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路
Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit
文件大小 :   1320 K    
页数 : 20 页
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品牌   ANASEM [ AnaSem Hong Kong Limited ]
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100%
低电压,低功耗,± 1 %的高检测精度,延时电路CMOS电压检测器
牧师E13-01
VDD系列
电气特性
( TA = 25 ° C除非另有说明)
工作电压
检测电压
迟滞范围
符号
V
IN
V
DET
V
HYS
V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
V
IN
=2.0V
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
CMOS P沟道
V
DS
=2.1V
CMOS N沟道
V
DS
=2.1V
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=1.5V
V
IN
=2.0V
消耗电流
I
SS
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
漏电流
检测电压
温度COEF网络cient
I
泄漏
∆V
DET
/
ΔTA •V
DET
V
IN
=6.0V V
OUT
=6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
条件
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
分钟。
0.7
V
DET
×0.99
V
DET
×0.02
0.1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
10
延迟时间
V
REL
→V
OUT
逆温
T
DLY
V
IN
= 0.7V ~ 6.0V
50
80
典型值。
-
V
DET
V
DET
×0.05
0.4
2.3
8.2
11.1
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
±20
-
-
-
马克斯。
6.0
V
DET
×1.01
V
DET
×0.08
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
50
200
400
单位
V
V
V
mA
mA
mA
3
mA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
µA
µA
nA
PPM /°C的
ms
ms
ms
5
3
1
2
4
3
TEST
电路
1
1
1
N沟道
V
DS
=0.5V
输出电流
I
OUT
AnaSem
4
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