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VDD25SCTA 低电压,低功耗, 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路 (Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit)
.型号:   VDD25SCTA
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描述: 低电压,低功耗, 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路
Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit
文件大小 :   1320 K    
页数 : 20 页
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品牌   ANASEM [ AnaSem Hong Kong Limited ]
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100%
低电压,低功耗,± 1 %的高检测精度,延时电路CMOS电压检测器
牧师E13-01
VDD系列
操作描述
常规操作( CMOS输出)
在参照以下的CMOS输出VDD系列的框图。
V
IN
+
电压
参考
_
延迟
电路
P沟道
V
OUT
N沟道
VSS
A.
当输入电压(V
IN
)低于释放电压较高(Ⅴ
REL
),输入电压(V
IN
)是
在输出端提供的,因为N沟道晶体管截止和P沟道晶体管导通。而且,
输出保持输入的相同的水平,只要输入电压保持高于检测
电压(V
DET
).
B.
当输入电压(V
IN
)低于
检测电压(V
DET
) , N沟道晶体管
为ON,且在P沟道晶体管截止。而且,
输出电压(V
OUT
)是一样的地
电平(V
SS
).
C.
当输入电压(V
IN
)低于
分钟。工作电压,输出变为
不稳定,或者进入V
IN
当输出
上拉至V
IN
.
D.
当输入电压(V
IN
)上升超过
最小电压,接地电压(V
SS
)
电平被保持,即使输入
电压(V
IN
)上升到高于该检测
电压(V
DET
),只要它不超过
释放电压(V
REL
)的水平。
E.
下面的延迟时间,所述N沟道晶体管
变为OFF时的输入电压(V
IN
)
上升到高于释放电压(V
REL
) ,以及
的P通道晶体管变为ON 。并且,在
输出电压(V
OUT
)等于输入
电压(V
IN
) 。 V之间的这种差异
DET
和V
REL
为迟滞范围(V
HYS
).
[时序图]
输入电压(V
IN
)
释放电压(V
REL
)
检测电压(V
DET
)
分钟。工作电压
电源接地(V
SS
)
输出电压(V
OUT
)
释放电压(V
REL
)
检测电压(V
DET
)
迟滞范围(V
HYS
)
延迟时间(t
DLY
)
分钟。工作电压
电源接地(V
SS
)
A B
C
D E
AnaSem
6
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