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APV2002
晶体振荡器
特点
单芯片XO
高达60MHz的方波
负载电容内建
反馈电阻器内建在
三态输出
高可靠性
CMOS / TTL输入电平
CMOS / TTL输出工作水平
基本振荡器
分频器内建的
2.7V至5.5V的电源电压
稳定性高抗噪声对VDD
概述
该APV2002是一个CMOS IC上集成了所有税务局局长
所需的振荡器扣器组件。它是一种低
成本,低抖动,高性能振荡器,其
由低电流的振荡器电路和输出的
缓冲区。该IC还集成了一个高精度, thin-
薄膜反馈电阻和负载电容与EX-
cellent频率特性。它还提供了频
昆西除法应用灵活选择。
引脚分配
XTB
1
8
XT
OE
VDD
芯片形式和SOP- 8封装
S0
S1
GND
2
7
2002 APV
3
6
4
5
QO
SOP
8
订购信息
APV2002
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K: SOP - 8
Y: CHIP FORM
TEMP 。 RANGE
我: -40〜 85°C
处理代码
TU :管
TY :托盘
TR :带卷&
W: WAFER
无铅代码
L:无铅设备
空白:原始设备
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
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APV2002
引脚说明
P在
1
2
3
4
5
6
7
8
SYM BOL
XTB
秒0 (N ] O TE 1 )
S1
GND
QO
VDD
Ø E(N ] O TE 2 )
XT
˚F加利Ç TIO N
Ç RY的TA l D同时RIV ê
f重新Q ü简ç Ÿ发E乐(C T)中的1个P
f重新Q ü简ç Ÿ发E乐(C T) 2 P
摹RO ü N D
f重新Q ú ê N c个Y 2 O ü TP ü吨
POW ER
Ø ü ü TP T E N A B乐
Ç RY的TA升FE E D B A C K
N}÷ TE 1 :P乐ASE重新FE ř FRE quencyse乐Ç于r
N}÷ TE 2 :H IG hornoconne多人回放: ENAB乐,L嗷嗷:D是AB乐
电气特性
以下规格适用于V
DD
= 5V ,除非另有说明。
符号
参数
测试条件
分钟。
4.5
-40
0.5
50MHz的晶振,C
L
= 50pF的
-0.5
-0.5
40
0.5V至4.5V ,C
L
= 50pF的
4.5V至0.5V ,C
L
= 50pF的
50
3
3
APV2002
典型值。
5
马克斯。
5.5
85
60
20
V
DD
+0.5V
V
DD
+0.5V
60
单位
工作条件
VDD
电源电压
环境温度
DC特性
频率
国际直拨电话
V
IN
V
OUT
Tr
Tf
晶振频率
工作电流
输入电压
输出电压
波形对称
上升时间
下降时间
V
°C
兆赫
mA
AC特性
%
ns
ns
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APV2002
电气特性(续)
以下规格适用于V
DD
= 3.3V ,除非另有说明。
符号
参数
测试条件
分钟。
3.0
-40
0.5
55MHz的晶振,C
L
= 50pF的
-0.5
-0.5
40
0.3V至3.0V ,C
L
= 50pF的
3.0V至0.3V ,C
L
= 50pF的
50
3
3
APV2002
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
85
60
20
V
DD
+0.5V
V
DD
+0.5V
60
单位
工作条件
VDD
电源电压
环境温度
DC特性
频率
国际直拨电话
V
IN
V
OUT
晶振频率
工作电流
输入电压
输出电压
波形对称
上升时间
下降时间
V
°C
兆赫
mA
AC特性
Tr
Tf
%
ns
ns
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APV2002
焊盘布局
1
2
11
10
3
9
4
8
7
5
6
PAD说明
垫#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
符号
XTB
OE
S0
S1
GND
C / T (注3 )
QO
NC (注4 )
VDD
OE
XT
描述
液晶驱动
OUTPUT ENABLE
频率选择PAD1
频率选择PAD2
占空比调制
频率输出
储备
动力
OUTPUT ENABLE
水晶反馈
注3 :C / T -无连接或连接到VDD以上30Meg XO ;连接到GND低于30Meg XO 。
注4 : NC-无连接
频率选择
S1
X
X
O
O
S0
X
O
X
O
QO
默认
¡
2
Ò
¡
4
Ò
¡
8
Ò
注5 :X -无连接, O型连接到GND
注6 :该功能仅用于模具的使用
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APV2002
垫位置
Y
1
2
11
10
3
9
4
8
7
5
6
x
(0 ,0 )
模具尺寸= 716.5um * 821.5um
垫大小= 86um * 86um
模具厚度= 250um
垫#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
注8 : VDD和GND是双垫。
符号
XTB
OEPAD
S0PAD
S1PAD
GND
TCBPAD
QO
NC
VDD
OEPAD
XT
垫中心
X(微米)
260
78
78
78
225,321
468
638
638
638,638
638
449
Y( UM )
743
700
531
359
78,78
78
163
356
457,553
700
743
注7 :基材应连接到GND 。
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