plerow

TM

ALN0878

内部匹配LNA模块

应用电路

V

S

+

-

钽或MLC （多层陶瓷）

电容

C1

IN

C2

氮化铝

OUT

1)

在钽或MLC （多层陶瓷）电容器是可选的，用于绕过交流噪声介绍

从直流电源。电容值可以由顾客的直流电源状态来确定。的钙

pacitor应放在尽可能接近到V

s

针和被直接连接到接地平面

最好的电气性能。

DC阻断电容总是必然放置在输入和输出端口，用于允许仅

RF信号通过，并阻断的信号中的直流分量。隔直电容includ-

编的ALN模块内部。因此，C 1 & C2电容器可能不是必需的，但可以只添加

的情况下，客户希望。 C1 & C2的值是通过考虑应用决定频

昆西。

2)

推荐回流焊工艺

评估板布局

Vs

260

°C

20〜 40秒

斜升

(3

℃/秒）

200

°C

减速

(6

℃/秒）

IN

OUT

150

°C

60 〜 180秒

尺寸25x25mm

（用于ALN系列 - 13x13mm ）

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www.asb.co.kr

2011年1月