概述
规格参数
数据手册
替代型号BLW50F 概述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN硅射频功率晶体管 射频双极晶体管
BLW50F 规格参数
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3.25 A | 基于收集器的最大容量： | 100 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
BLW50F 数据手册
通过下载BLW50F数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
PDF下载BLW50F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI BLW50F is Designed for
use in transmitters in the HF and VHF
band applications up tp 30 MHz.
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
FEATURES:
• PG = 14 dB min. at 75 W/30 MHz
• IMD3 = 50 dBc max. at 75 W(PEP)
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC
3.25 A
110 V
VCBO
VCEO
VEBO
PDISS
TJ
55 V
4.0 V
87 W @ TC = 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
2.0 °C/W
1 = COLLECTOR 2 = BASE
3 & 4 = EMITTER
TSTG
θJC
ORDER CODE: ASI10834
CHARACTERISTICS TC = 25 O
C
SYMBOL
BVCES
NONETEST CONDITIONS
IC = 100 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS
110
V
BVCE0
BVEBO
ICES
IC = 200 mA
IE = 10 mA
VCE = 55 V
55
V
4.0
V
10
50
mA
---
hFE
VCE = 6.0 V
IC = 1.4 A
19
---
---
Cob
GP
VCB = 50 V
f = 1.0 MHz
100
-30
pF
14
dB
---
37
IMD3
ηC
dBc
%
VCE = 50 V
POUT = 75 W(PEP)
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
1/1
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
BLW50F 替代型号
| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| 2N5642 | STMICROELECTRONICS | 7W / 20W / 40W, 28V, VHF POWER TRANSISTOR | 功能相似 |
|
| 2N6084 | MICROSEMI | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS | 功能相似 |
|
BLW50F 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| BLW50F/B | ETC | TRANSISTOR RF SOT-123 | 获取价格 |
|
| BLW60 | NXP | VHF power transistor | 获取价格 |
|
| BLW60C | NXP | VHF power transistor | 获取价格 |
|
| BLW60C | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | 获取价格 |
|
| BLW60C | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 16V 9A 4-Pin CRPM | 获取价格 |
|
| BLW75 | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | 获取价格 |
|
| BLW76 | NXP | HF/VHF power transistor | 获取价格 |
|
| BLW76 | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | 获取价格 |
|
| BLW76 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 35V 8A 4-Pin CRFM | 获取价格 |
|
| BLW77 | NXP | HF/VHF power transistor | 获取价格 |
|
BLW50F 相关文章
Bourns 密封通孔金属陶瓷微调电位计产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 5
Bourns 精密环境传感器产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns POWrTher 负温度系数(NTC)热敏电阻手册 (英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns GMOV 混合过压保护组件产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
