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2N6093 NPN硅射频功率晶体管 (NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR)
.型号:   2N6093
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描述: NPN硅射频功率晶体管
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小 :   27 K    
页数 : 1 页
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品牌   ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
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100%
NPN硅射频功率晶体管
封装形式TO- 217
描述:
2N6093
是一种高增益线性RF
功率放大器用在A级或
B类应用与个别
镇流器发射极电阻和内置
温度检测二极管。
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
10 A
35 V
83.3 W¯¯ @ T
C
= 75 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
1.50 C / W
O
O
O
O
¼ -28 UNF螺纹
1 =发射&二极管阴极
2 =收藏家
3 = BASE
4 =二极管的阳极
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
I
CES
BV
EBO
h
FE
V
F
h
fe
C
OB
P
IE
G
PE
η
C
IMD
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
V
CE
= 60 V
I
E
= 20毫安
V
CE
= 6.0 V
I
F
= 10毫安
V
CE
= 28 V
V
CB
= 30 V
V
CC
= 28 V
F = 30 MHz的
V
CC
= 28 V
I
C
= 20毫安
P
OE
= 75.0 W
I
C
= 20毫安
I
C
= 1.0 A
F = 50MHz的
F = 1.0 MHz的
P
OE
= 37.5 W
I
C
= 5.0 A
T
C
= 55 C
O
最低
35
70
典型
最大
单位
V
V
30
3.5
20
0.8
2.0
250
1.88
3.75
13
40
-30
mA
V
---
V
---
pF
W
dB
%
dB
P
OE
= 75.0 W
F = 30 MHz的
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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