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描述:
BDS17  TCL225DK2-AD  TCL225DL1-W  TCL225DK2-DCP  TCL225DL1-TTD2  BDS19  BDS19SMD05  TCL225DL1-V  TCL225DK3-AD  TCL225DL1-AD  
2SC2782 NPN硅射频功率晶体管 (NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR)
.型号:   2SC2782
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描述: NPN硅射频功率晶体管
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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品牌   ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
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2SC2782
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 2SC2782
是a12.5 V外延
硅NPN晶体管。主要设计
对于VHF电源放大器应用起来
to175 MHz频段。
包装样式0.500 6L FLG
C
A
3
D
1
2个0:N
,完全R
产品特点:
175 MHz的12.5 V
P
G
= 6.4分贝​​在80W / 175兆赫
Omnigold ™
金属化系统
共发射极配置
暗淡
A
B
C
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.120 / 3.05
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
B
G
2
.725/18,42
F
4
E
K
H
M尼加拉瓜妇女协会UM
英寸/ M M
M
L
J
I
M AXIM UM
英寸/ M M
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
20 A
36 V
16 V
4.0 V
220 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65 ° C至+175 ℃,
-65 ° C至+175 ℃,
0.68 ° C / W
1 = Collecttor 2 =基本3&4 =发射
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
h
FE
C
OB
PG
ηC
Z
IN
Z
CL
I
C
= 50毫安
I
C
= 20毫安
I
E
= 1.0毫安
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
16
36
4.0
单位
V
V
V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
IN
= 18 W
V
CC
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
I
C
= 10 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 80 W
P
OUT
= 80 W
P
OUT
= 80 W
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
10
6.4
60
---
---
6.8
70
1.0 + j1.5
1.2 + j1.8
100
390
---
pF
dB
%
---
---
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1
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