MAX34334CSE 第1页-第1页 PDF中文翻译页面详情预览
AVD035F
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.250 2L FLG (B )
A
.100 X 45°
描述:
该
ASI AVD035F
是专为
C
B
ØD
.088 x 45°
倒角
产品特点:
•
•
•
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
F
G
H
E
I
J
K
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
A
B
.095 / 2.41
1.050 / 26.67
.245 / 6.22
.120 / 3.05
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.105 / 2.67
2.5 A
PEAK
55 V
100 W
PEAK
O
C
D
E
F
G
H
I
.255 / 6.48
.140 / 3.56
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.285 / 7.24
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.120 / 3.05
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.130 / 3.30
.210 / 5.33
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
1.0 C / W
O
J
K
订货编号: ASI10558
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
Ω
最小典型最大
65
65
3.5
5.0
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
兆赫
I
C
= 500毫安
P
OUT
= 35 W
f = 1025 - 1150
15
10
35
120
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1
相关元器件产品Datasheet PDF文档
11
ASI
AVD035P
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
24
ASI
AVD035P
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
13
ASI
20
ASI
AVD05P
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
31
ASI
AVD05S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
13
ASI