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型号:  
描述:
ZLLS2000TA  ZLJ  ZLFBLST0P2064GRXXXX  3513-02  3513EL-S16-R  3513E-D16-T  3513FL-D16-T  3513FL-S16-R  ZLLS1000TA  3513-52  
AVD090F NPN硅射频功率晶体管 (NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR)
.型号:   AVD090F
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描述: NPN硅射频功率晶体管
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小 :   20 K    
页数 : 1 页
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品牌   ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
   
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100%
AVD090F
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.250 2L FLG (B )
A
.100 X 45°
描述:
ASI AVD090F
是专为
C
B
ØD
.088 x 45°
倒角
产品特点:
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
E
F
G
H
J
K
I
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
6.5 A
PEAK
55 V
250 W
PEAK
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
.095 / 2.41
1.050 / 26.67
.245 / 6.22
.120 / 3.05
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.105 / 2.67
.255 / 6.48
.140 / 3.56
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.285 / 7.24
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.120 / 3.05
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.130 / 3.30
.210 / 5.33
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
0.6
O
C / W
O
O
订货编号: ASI10562
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 50 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
6.25
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
I
C
= 500毫安
P
OUT
= 90 W
F = 1025年至1150年兆赫
15
8.5
35
120
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1
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