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描述:
EP9531-9  EP9590-225  EP9531G-13  EP9547G-11  EP9590-25  EP9604-350-RC  EP9531G-12  EP9531G-11  EP9590-500  EP9531G-6  
AVD150 NPN硅射频功率晶体管 (NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR)
.型号:   AVD150
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描述: NPN硅射频功率晶体管
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小 :   22 K    
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品牌   ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
   
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100%
AVD150
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.400 2NL FLG
A
描述:
ASI AVD10
是专为
C
.025 x 45°
2个B
ØD
E
F
4x .062 x 45°
G
产品特点:
输入匹配网络
Omnigold ™
金属化系统
H
I
J
K
P
M
N
L
暗淡
A
B
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.020 / 0.51
.100 / 2.54
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.450 / 11.43
.125 / 3.18
.640 / 16.26
.890 / 22.61
.395 / 10.03
.004 / 0.10
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.030 / 0.76
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
C
D
E
F
G
H
I
11 A
55 V
400瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 250 ç
-65℃至+ 200C
0.3 C / W
O
O
O
O
.660 / 16.76
.910 / 23.11
.415 / 10.54
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
J
K
L
M
N
P
订货编号: ASI10564
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 15毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
12.5
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 50 V
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 150 W
F = 1025年至1150年兆赫
15
120
80
7.7
40
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1
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