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型号:  
描述:
UC285-ADJ  W78C32BF-40  CD74HC4052M96E4  HF439/S003B  TSC80C51CXXX-20AD  TLV431CLPE3  SN65LVDS9638DGN  CTMD6P-3P5GAX1500  425F24BM  SK52  
AVD250 NPN硅射频功率晶体管 (NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR)
.型号:   AVD250
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描述: NPN硅射频功率晶体管
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小 :   21 K    
页数 : 1 页
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品牌   ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
   
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100%
AVD250
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.400 2NL FLG
描述:
ASI AVD250
是专为
2个B
C
F
ØD
E
4x .062 x 45°
A
.025 x 45°
产品特点:
输入匹配网络
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
A
B
C
H
L
G
I
J
K
P
M
最低
英寸/毫米
N
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
.020 / 0.51
.100 / 2.54
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.450 / 11.43
.125 / 3.18
.640 / 16.26
.890 / 22.61
.395 / 10.03
.004 / 0.10
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.030 / 0.76
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
17.8 A
55 V
600瓦@ T
C
80 C
O
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
.660 / 16.76
.910 / 23.11
.415 / 10.54
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
-65℃至+ 250 ç
-65
O
C至+200
O
C
0.2 C / W
O
O
N
P
订货编号: ASI10565
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 25毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
25
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
兆赫
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 250 W
f = 1025 - 1150
15
6.2
40
120
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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