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FL灰
奥斯汀半导体公司
128K ×32的Flash
闪存阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-94716
MIL-STD-883
快速访问时间: 60 ,70, 90 , 120和150ns的
操作单5V ( ± 10 % )
兼容JEDEC EEPROM命令集
任何部门的结合可以被删除
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
硬件数据保护
数据\\轮询和切换位
低功耗
单个字节的读/写控制
万编程/擦除周期
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
NC
AS8F128K32
引脚分配
( TOP VIEW )
68铅CQFP (Q & Q1)
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
特点
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
选项
定时
60ns
70ns
90ns
120ns
150ns
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
Q
Q1
标志
-60
-70
-90
-120
-150
703号
概述
奥斯汀半导体公司AS8F128K32是4兆位
CMOS闪存模块组织为128K ×32位。该
AS8F128K32实现高速存取(60至150毫微秒) ,低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。
该设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0V V
CC
供应量。一个12.0V V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以被编程或
擦除标准EPROM编程器。为了消除总线
争用的设备已经单独芯片enbaled ( ​​CEX \\) ,写使能
( WEX \\ )和输出使能( OE )控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的,稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态机,
AS8F128K32
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控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据,并
擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式程序算法,内部
算法,该算法自动倍程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除算法的内部算法
自动preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和验证正确
电池余量。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作
完成后通过读取I / O7 (数据\\轮询)和I / O6 (切换)
状态位。后一个程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区被擦除
和重新编程,而不会影响其它的数据内容
部门。从工厂发货时,该设备被擦除。
硬件数据保护措施,包括低V
CC
检测电源时自动抑制写操作
转场。硬件扇区保护功能禁用这两个
在该领域的任何组合编程和擦除操作
内存,并使用标准EPROM编程实现。
该系统可以将器件置于待机模式。动力
消耗在这种模式下大大降低。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的机制。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
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功能框图
AS8F128K32
引脚配置
A0 - A16
I / O0 - I / O31
CEX \\
OE \\
WEX \\
V
CC
GND
NC
X = 1 ,2,3或4个
逻辑符号
描述
地址
输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5.0V电源
接地装置
无连接
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设备总线操作
注:本数据的所有设备/算法描述
表引用每个模具。
本节介绍的要求和使用
设备总线操作,这是通过内部开始
命令寄存器。命令寄存器本身不
占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
存储的命令,随着闩锁组成
需要的地址和数据信息,以执行该命令。
该寄存器的内容作为输入到内部状态
机。状态机输出规定的功能
装置。相应的设备总线操作表列出了
需要的输入和控制水平,并将得到的输出。
下面的小节介绍这些操作
在进一步的细节。
AS8F128K32
对于读访问,直到该命令寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。请参阅
交流读操作表,定时规范和
的读操作时序图的时序波形。
I
CC1
在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列(包括
数据编程到设备和擦除的存储器扇区) ,
该系统必须驱动WEX \\和CEX \\到V
IL
和OE \\到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门,
或整个设备。扇区地址表标明
每个扇区占据的地址空间。 A“扇区地址”
由需要唯一地选择一个地址位
部门。请参阅“命令定义”一节的详细信息
擦除一个扇区或整个芯片。
在系统中写入自动选择命令序列,
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码(这是
从存储器阵列)上的I / O31 - I / O0分离。标准读
循环定时适用于这种模式。请参阅“自选模式”
和“自选命令序列”章节了解更多
信息。我
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格表
和时序图,用于写操作。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须驱动
在CEX \\和OE \\引脚V
IL
。 CEX \\是功率控制和
选择该设备。 OE \\是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。 WEX \\应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
在器件上电。这确保了没有寄生
改变存储器内容的权力过程中发生
过渡。没有命令是必要的,该模式以获取
阵列的数据。标准的微处理器读周期的断言
器件地址输入有效地址生成有效
上的设备的数据的数据输出。该器件保持启用
表1 :设备总线操作
1
手术
待机
输出禁用
硬件复位
临时机构撤消
CEX \\
L
L
V
CC
± 0.5V
L
X
X
OE \\
L
H
X
H
X
X
WEX \\
H
L
X
H
X
X
不会忽略
(A16:A0)
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
I / O0 - I / O31
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0 ± 0.5 V , X =唐??在意,A
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出
注意事项:
1,行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。请参阅“扇区保护/
解除保护“一节。
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编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可以检查
操作通过读取状态位上我的状态/ O31-
I / O0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格
适用。请参阅“写操作状态”的详细信息,
并在适当的数据每个AC特性部分
片时序图。
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自选模式
自选模式提供了制造商和设备
识别和部门保护的验证,通过
识别码输出的I / O31 -I / O0 。此模式是主要
用于编程设备,自动匹配
设备到与其相应的节目进行编程
算法。然而,在自动选择的代码也可以被访问
在系统通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择模式
需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚A9 。地址引脚
A6, A1和A0必须在自动选择代码中所示的(高
电压法)表。另外,当验证扇区
保护,扇区地址必须出现在合适的
最高地址位。参考相应的扇区
地址表。该命令定义表显示
余下的地址位是不在乎。当所有必要的
位已被设置为所需的,则编程设备
然后读取相应的识别码的I / O31-
I/O0.
访问自动选择代码在系统中,主机系统
可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令,如
该命令定义表所示。此方法不
不需要V
ID
。请参阅“命令定义”的详细信息
使用自动选择模式。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,它
可将设备置于待机模式。在这种模式下,电流
消耗大大减少,并且输出被放置在
高阻抗状态,独立的OE \\输入。
该器件进入CMOS待机模式时, CEX \\
引脚保持在V
CC
± 0.5V。 (注意,这是一个更受限制
电压范围比V
IH
)。该器件进入待机TTL
当CEX \\保持在V模式
IH
。设备需要的
标准访问时间(t
CE
)它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择,
该器件消耗的有功电流,直到操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表了备用
目前的规范。
输出禁止模式
当OE \\输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
表2 :扇区地址表(每个字节)
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 03FFFh
04000h - 07FFFh
08000H - 0BFFFh
0C000h - 地址0FFFFh
10000H - 13FFFh
14000h - 17FFFh
18000H - 1BFFFh
1C000h - 1FFFFH
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扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个编程和擦除
在操作之前保护部门。
部门保护/解除保护必须落实
使用编程设备。该过程需要高
电压(V
ID
)上的地址引脚A9和控制引脚。
该设备出厂时所有部门保护。这是
可以判定一个扇区是否已被保护或
不受保护的。请参阅“自选模式”的详细信息。
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低Vcc的写保护
当V
CC
小于V
LKO
时,设备不接受
任何写周期。这期间, V保护数据
CC
电和
掉电。命令寄存器和所有内部程序/
擦除电路都被禁止,以及设备重置。随后
写操作被忽略,直到V
CC
大于V
LKO
。该系统
必须提供合适的信号,以控制引脚,以防止
无意识当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)上的OE \\ , CEX \\或噪声脉冲
WEX \\不启动写周期。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
编程或擦除数据提供保护,防止
意外写操作(参见命令定义表) 。在
此外,下面的硬件数据保护措施
防止意外擦除或编程,这可能
否则将被系统杂散电平信号时引起的
V
CC
上电和掉电转换,或从系统
噪声。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE \\ = V任何一个抑制
IL
,
CEX \\ = V
IH
或WEX \\ = V
IH
。要启动一个写周期, CEX \\和
WEX \\必须是逻辑零而OE \\是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
如果WEX \\ CEX = \\ = V
IL
和OE \\ = V
IH
上电时,该设备
不接受上的WEX \\上升沿命令。该
内部状态机是自然而然LY复位到读阵列
数据上电。
表3:自动选择代码(高压法)
描述
CEX \\
L
L
OE \\
L
L
WEX \\
H
H
A16
to
A14
X
X
A13
to
A10
X
X
A9
V
ID
V
ID
A8到
A6
A7
X
X
L
L
A5
to
A2
X
X
A1
L
L
A0
L
H
I / O0至I / O7
的I / O8到I / O15
I / O16到I / O23
I / O24到I / O31
01h
20h
01H (受保护)
L
扇区保护验证
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关。
制造商ID : AMD
设备ID : Am29F010B
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
H
L
00h
(无保护)
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AS8F128K32Q1-60/883C

128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
0 AUSTIN

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128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
29 AUSTIN

AS8F128K32Q1-60/IT

128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
24 AUSTIN

AS8F128K32Q1-60/IT

128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
0 AUSTIN

AS8F128K32Q1-60/Q

128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
0 AUSTIN

AS8F128K32Q1-60/Q

128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
23 AUSTIN