电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
SCI0805LP-15NGF  SCI0805LP-22NJF  SCI0805HQ-5N6KF  SCI0805LP-22NGF  SCI0805HQ-30NKF  SCI0805HQ-8N2KF  SCI0805LP-15NKF  SCI0805LP-33NGF  SCI0805LP-18NGF  SCI0805LP-27NGF  
AS8F128K32Q-150/XT 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-150/XT
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
页数 : 22 页
Logo:   
品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号AS8F128K32Q-150/XT的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
FL灰
奥斯汀半导体公司
128K ×32的Flash
闪存阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-94716
MIL-STD-883
快速访问时间: 60 ,70, 90 , 120和150ns的
操作单5V ( ± 10 % )
兼容JEDEC EEPROM命令集
任何部门的结合可以被删除
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
硬件数据保护
数据\\轮询和切换位
低功耗
单个字节的读/写控制
万编程/擦除周期
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
NC
AS8F128K32
引脚分配
( TOP VIEW )
68铅CQFP (Q & Q1)
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
特点
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
选项
定时
60ns
70ns
90ns
120ns
150ns
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
Q
Q1
标志
-60
-70
-90
-120
-150
703号
概述
奥斯汀半导体公司AS8F128K32是4兆位
CMOS闪存模块组织为128K ×32位。该
AS8F128K32实现高速存取(60至150毫微秒) ,低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。
该设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0V V
CC
供应量。一个12.0V V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以被编程或
擦除标准EPROM编程器。为了消除总线
争用的设备已经单独芯片enbaled ( ​​CEX \\) ,写使能
( WEX \\ )和输出使能( OE )控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的,稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态机,
AS8F128K32
2.0版本5/03
控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据,并
擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式程序算法,内部
算法,该算法自动倍程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除算法的内部算法
自动preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和验证正确
电池余量。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作
完成后通过读取I / O7 (数据\\轮询)和I / O6 (切换)
状态位。后一个程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区被擦除
和重新编程,而不会影响其它的数据内容
部门。从工厂发货时,该设备被擦除。
硬件数据保护措施,包括低V
CC
检测电源时自动抑制写操作
转场。硬件扇区保护功能禁用这两个
在该领域的任何组合编程和擦除操作
内存,并使用标准EPROM编程实现。
该系统可以将器件置于待机模式。动力
消耗在这种模式下大大降低。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的机制。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7