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TA8851  TA8742N  TA8564FN  AD5432YRM-REEL  TA8819F  TA8891N  TA8750AN  TA8696F  AD5446  TA8748AN  
AS8F128K32Q-60/Q 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-60/Q
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描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
页数 : 22 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
I / O6 :切换位I
切换位I在I / O6指示是否嵌入式
编程或擦除算法进行或完成。切换
有点我可以随时读取地址,并且是有效的后上升
(现有的最终WEX \\脉冲的命令序列的边缘向
该程序或擦除操作) ,并且在该扇区的擦除
超时。
在嵌入式编程或擦除算法
操作中,连续读周期的任何地址导致I / O6至
切换。 (该系统可使用任一操作环境\\或CEX \\控制
读周期。 )当操作完成时, I / O6停止
切换。
经过擦除命令序列写入,如果所有部门
选择用于擦除被保护, I / O6切换或约
100毫秒,然后,返回到读出阵列的数据。如果不是所有的选择
行业保护,嵌入式擦除算法擦除
未受保护的部门,而忽略选定行业的
被保护。
如果一个程序的地址属于受保护的部门, I / O6内
该程序命令后切换约2毫秒
顺序被写入,然后,返回到读出阵列的数据。
写操作状态表显示输出
切换位I在I / O6 。请参考图4,用于切换位
算法,并在“AC触发位时序图
特性“一章的时序图。
AS8F128K32
I / O5通过连续读周期,确定身份
在前面的段落中描述。可替换地,它可
选择执行其它系统任务。在这种情况下,系统
必须从在算法开始时,它返回到
确定操作的状态(图4的上方)。
图4 :切换位算法
阅读切换位I / O6
请参考图4,用于下面的讨论。每当
该系统最初开始读取触发位的地位,就必须
读I / O 7- I / O0至少连续两次,以确定是否
触发位被触发。通常情况下,系统会注意和存储
切换位的第一读取后的值。之后的第二
读出时,系统将进行比较的触发位的新值
与第一个。如果触发位是不切换,该装置具有
完成编程或擦除操作。该系统可
在下面的读周期读I / O 7- I / O0阵列的数据。
然而,如果在最初的两个读周期中,系统
确定该切换位还是切换,该系统还
应该注意的I / O5的值是否为高(见节
在I / O5 ) 。如果是,系统应然后再决定是否
触发位被触发,由于触发位可能已停止
切换就像I / O5去高。如果触发位不再
来回切换,设备已成功完成计划
或擦除操作。如果仍切换,设备没有
完成该操作成功,并且系统必须写
reset命令返回读取阵列数据。
剩余的情况是,当系统初始
确定触发位切换和I / O5一直没有去
高。该系统可以继续监视触发位和
*注意:
适用于每8个字节。
AS8F128K32
2.0版本5/03
*
注意事项:
1.阅读触发位两次,以确定它是否被触发。看
文本。
2.复核触发位,因为它可能会停止切换为I / O5更改为“ 1 ” 。
见文。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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