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AS8F128K32Q-60/Q 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-60/Q
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描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
页数 : 22 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可以检查
操作通过读取状态位上我的状态/ O31-
I / O0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格
适用。请参阅“写操作状态”的详细信息,
并在适当的数据每个AC特性部分
片时序图。
AS8F128K32
自选模式
自选模式提供了制造商和设备
识别和部门保护的验证,通过
识别码输出的I / O31 -I / O0 。此模式是主要
用于编程设备,自动匹配
设备到与其相应的节目进行编程
算法。然而,在自动选择的代码也可以被访问
在系统通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择模式
需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚A9 。地址引脚
A6, A1和A0必须在自动选择代码中所示的(高
电压法)表。另外,当验证扇区
保护,扇区地址必须出现在合适的
最高地址位。参考相应的扇区
地址表。该命令定义表显示
余下的地址位是不在乎。当所有必要的
位已被设置为所需的,则编程设备
然后读取相应的识别码的I / O31-
I/O0.
访问自动选择代码在系统中,主机系统
可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令,如
该命令定义表所示。此方法不
不需要V
ID
。请参阅“命令定义”的详细信息
使用自动选择模式。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,它
可将设备置于待机模式。在这种模式下,电流
消耗大大减少,并且输出被放置在
高阻抗状态,独立的OE \\输入。
该器件进入CMOS待机模式时, CEX \\
引脚保持在V
CC
± 0.5V。 (注意,这是一个更受限制
电压范围比V
IH
)。该器件进入待机TTL
当CEX \\保持在V模式
IH
。设备需要的
标准访问时间(t
CE
)它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择,
该器件消耗的有功电流,直到操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表了备用
目前的规范。
输出禁止模式
当OE \\输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
表2 :扇区地址表(每个字节)
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 03FFFh
04000h - 07FFFh
08000H - 0BFFFh
0C000h - 地址0FFFFh
10000H - 13FFFh
14000h - 17FFFh
18000H - 1BFFFh
1C000h - 1FFFFH
AS8F128K32
2.0版本5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
4
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