电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
AS8F128K32Q-60/Q 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-60/Q
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
页数 : 22 页
Logo:   
品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号AS8F128K32Q-60/Q的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
FL灰
奥斯汀半导体公司
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个编程和擦除
在操作之前保护部门。
部门保护/解除保护必须落实
使用编程设备。该过程需要高
电压(V
ID
)上的地址引脚A9和控制引脚。
该设备出厂时所有部门保护。这是
可以判定一个扇区是否已被保护或
不受保护的。请参阅“自选模式”的详细信息。
AS8F128K32
低Vcc的写保护
当V
CC
小于V
LKO
时,设备不接受
任何写周期。这期间, V保护数据
CC
电和
掉电。命令寄存器和所有内部程序/
擦除电路都被禁止,以及设备重置。随后
写操作被忽略,直到V
CC
大于V
LKO
。该系统
必须提供合适的信号,以控制引脚,以防止
无意识当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)上的OE \\ , CEX \\或噪声脉冲
WEX \\不启动写周期。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
编程或擦除数据提供保护,防止
意外写操作(参见命令定义表) 。在
此外,下面的硬件数据保护措施
防止意外擦除或编程,这可能
否则将被系统杂散电平信号时引起的
V
CC
上电和掉电转换,或从系统
噪声。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE \\ = V任何一个抑制
IL
,
CEX \\ = V
IH
或WEX \\ = V
IH
。要启动一个写周期, CEX \\和
WEX \\必须是逻辑零而OE \\是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
如果WEX \\ CEX = \\ = V
IL
和OE \\ = V
IH
上电时,该设备
不接受上的WEX \\上升沿命令。该
内部状态机是自然而然LY复位到读阵列
数据上电。
表3:自动选择代码(高压法)
描述
CEX \\
L
L
OE \\
L
L
WEX \\
H
H
A16
to
A14
X
X
A13
to
A10
X
X
A9
V
ID
V
ID
A8到
A6
A7
X
X
L
L
A5
to
A2
X
X
A1
L
L
A0
L
H
I / O0至I / O7
的I / O8到I / O15
I / O16到I / O23
I / O24到I / O31
01h
20h
01H (受保护)
L
扇区保护验证
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关。
制造商ID : AMD
设备ID : Am29F010B
L
H
SA
X
V
ID
X
L
X
H
L
00h
(无保护)
AS8F128K32
2.0版本5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
5
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7