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AS8F128K32Q-60/Q 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-60/Q
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描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
芯片擦除命令序列
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除
命令序列写入两个解锁周期的开始,
接着一个建立命令。两个额外的解锁写
循环再其次是芯片擦除命令,它是在
依次调用嵌入式擦除算法。该设备不
不要求系统能够擦除之前进行预编程。该
嵌入式擦除算法自动preprograms和
验证之前,对整个存储器为全零的数据图案
电擦除。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。命令
定义表显示了用于地址和数据要求
芯片擦除命令序列。
在嵌入式写入芯片的任何命令
擦除算法被忽略。
该系统可确定擦除的状态
操作通过使用I / O7或I / O6 。见“写操作状态”
有关这些状态位的信息。当嵌入式擦除
算法完成后,设备返回到读取阵列数据
和地址不再锁定。
图2示出的算法来执行擦除操作。
请参阅“AC擦除/编程操作表
特性“的参数,并在芯片/扇区擦除
操作时序的时序波形。
AS8F128K32
附加扇区擦除命令可以被认为是少
超过50毫秒,该系统不需要监视I / O3 * 。
任何命令
在超时周期设备重置为读阵列
数据。
该系统必须重写命令序列和任何
附加扇区的地址和命令。
该系统能够监视I / O 3 * ,以确定该扇区
清除计时器超时。 (请参阅“ I / O3 * :扇区擦除定时器”
节)。超时开始从最后的上升沿
WE#脉冲的命令序列。
一旦该扇区擦除操作已经开始,其他所有
命令将被忽略。
当嵌入式擦除算法完成后,
设备返回到读出阵列的数据和地址不再
锁存。该系统可确定擦除的状态
操作通过使用I / O7或I / O6 。请参阅“写操作
状态“有关这些状态位的信息。
图2示出的算法来执行擦除操作。
请参阅擦除/编程操作表中的“AC
特性“部分参数,并以扇区擦除
操作时序图时序波形。
图1 :程序运行
扇区擦除命令序列
扇区擦除是六总线周期的操作。扇区擦除
命令序列写入两个解锁周期的开始,
接着一个建立命令。两个额外的解锁写
循环再其次是由扇区的地址是
擦除,扇区擦除命令。命令Defini-
系统蒸发散表显示的地址和数据要求
扇区擦除命令序列。
该设备不要求系统进行预编程的
在擦除之前的记忆。嵌入式擦除算法
自动编程和校验部门为全零
之前的电擦除的数据模式。不需要在系统
要在这些操作提供任何控制或定时。
命令序列被写入后,扇区擦除时间
出50毫秒开始。在超时期间,附加的
扇区地址和扇区擦除命令可被写入。
加载扇区擦除缓冲器可以以任何顺序进行,
和扇区的数量可能会从一个部门到各部门。
这些附加的周期之间的时间必须小于
50毫秒,否则最后的地址和命令可能不
接受,并删除可能开始。所以建议
处理器的中断在这段时间内,以确保所有被禁用
命令被接受。可以重新启用后的中断
最后一个扇区擦除命令写入。如果间隔时间
*注意:
适用于每8个字节(即I / O 3 , I / O11 , I / O19 , I / O27 )
注意:
7
请参见相应的命令定义表的程序
命令序列。
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AS8F128K32
2.0版本5/03
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