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MINT1275A5614K01  PCM-9375FZ-J0A1E  NA-810C  MIO-5250D-S8A1E  PCM-9562Z2-1GS6A1E  MIO-6260_1206  PCM-9389NZ-2GDMA1E  SIMB-M01  PE9512  MIOE-210_13  
AS8F128K32Q-60/Q 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 (128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY)
.型号:   AS8F128K32Q-60/Q
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描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列
128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY
文件大小 :   390 K    
页数 : 22 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
FL灰
奥斯汀半导体公司
表4 :命令定义(适用于每个器件
8
)
周期
2,3
AS8F128K32
命令序列
4
5
1
第一次
第二
8
地址数据地址数据
8
RA
555
555
555
555
555
555
555
555
RD
AA
AA
AA
AA
AA
AA
AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
55
55
55
55
55
55
55
总线周期
科幻FTH
第六
第三
第四
8
8
8
地址数据地址数据地址数据地址数据
8
555
555
555
555
555
555
555
555
F0
90
90
90
A0
80
80
1
制造商ID
器件ID
部门保护验证
7
RESET
自选
6
3
4
4
4
4
6
6
XX00
XX01
(SA)的
X02
PA
555
555
1
20
00
01
PD
AA
AA
节目
芯片擦除
扇区擦除
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
注意事项:
1.请参阅表1的总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.除读书数组或自动选择数据时,所有的指令总线周期是写操作。
4.读阵列数据时无需解锁或命令周期。
5.复位命令需要返回读取阵列数据时装置处于自动选择模式,或者如果I / O5变高(当设备处于
提供状态数据)。
6.自动选择命令序列的第四个周期是一个读操作。
7.数据为00h的未受保护的部门和01H为受保护的行业。请参阅“自选命令序列”的详细信息。
8所示为每个相应字节的I / O31 -I / O24数据,I / O25 -I / O16 ,I / O15 -I / O8 ,I / O 7- I / O0 。
图2 :擦除操作
图例:
X =无关
要读取的RA =地址的存储单元。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PA =地址的存储单元进行编程。
地址锁存器上的WEX \\或CEX \\脉冲,下降沿取
后来发生的情况。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁存器的上升
WEX \\或CEX \\脉冲,先发生者为准的边缘。
SA =地址的扇区进行验证(在自动选择模式)或擦除。
地址位A16 - A14唯一选择任何行业。
注意:
1.请参阅相应的命令定义表的程序命令序列。
2.请参阅"
I / O
3 :扇区擦除Timer"以获取更多信息。
AS8F128K32
2.0版本5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
8
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