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AS8F1M32QT-90/Q 1M ×32的FLASH闪存模块 (1M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE)
.型号:   AS8F1M32QT-90/Q
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描述: 1M ×32的FLASH闪存模块
1M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE
文件大小 :   274 K    
页数 : 10 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
1M ×32的FLASH
闪存模块
作为军事
特定网络阳离子
•用于军事领域( MIL -PRF- 38534 ,第1.2段)
温度范围: -55
o
C至125
o
C
AS8F1M32
FL灰
图1 :引脚分配
( TOP VIEW )
68铅CQFP
RESET \\
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
08
07
06
05
02
01
67
65
09
04
03
68
66
64
63
62
I/O0
I/O1
I/02
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/012
I/O13
I/O14
I/O15
61
10
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76
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54
53
52
51
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48
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45
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I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
特点
•为90ns , 120ns的,并且为150ns的快速存取时间
• 5.0V ± 10 % ,单电源操作
•低功耗典型值: 4μA典型的CMOS待机
* ICC (活动) <120毫安读/写
• 20年的数据保存在125
o
C
•百万编程/擦除周期
每64千字节• 16等于行业
- 任何部门的结合可以被删除
•集团扇区保护
- 支持整片擦除
•兼容JEDEC标准
•嵌入式擦除和编程算法
•数据\\轮询和切换位检测程序或擦除
循环完成。
•擦除暂停/恢复
•硬件复位引脚( RESET \\ )
•内置的去耦电容和多个接地引脚为低
噪音运行
•独立的电源层和接地层以提高抗噪性能
27
28
29
30
31
32
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38
39
40
41
42
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE \\
CS2\
概述
奥斯汀半导体公司AS8F1M32是32兆, 5.0电压
只有闪存。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准体系5.0伏的VCC电源。该AS8F1M32
提供为90ns的存取时间,从而允许高速微处理器来
操作无需等待。消除总线竞争,该设备具有
独立的芯片使能( CE \\ ) ,写使能( WE \\)和输出使能( OE \\ )
控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的,稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态匹配的
控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据,并
擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将启动嵌入式程序算法 - 内部
算法,该算法自动地计时程序的脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将启动嵌入式擦除算法 - 一个内部算法,
自动preprograms数组(如果它尚未编程)
前执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作是
完全通过观察DQ7 ( DATA \\轮询)和DQ6 (切换)
状态位。后一个程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
(下转第2页)
选项
•时机
90ns
120ns
150ns
•包
陶瓷四方扁平封装( 0.88"平方米)
- 最大高度0.140"
- 防区外高度0.035"分钟
记号
-90
-120
-150
QT
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS8F1M32
修订版1.5 09/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
A17
WE2\
WE3\
WE4\
A18
A19
NC
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