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AS8F2M32QW-90/XT 2M ×32的FLASH闪存模块 (2M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE)
.型号:   AS8F2M32QW-90/XT
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描述: 2M ×32的FLASH闪存模块
2M x 32 FLASH FLASH MEMORY MODULE
文件大小 :   382 K    
页数 : 12 页
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品牌   AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
2M ×32的FLASH
闪存模块
作为军事
特定网络阳离子
•用于军事领域( MIL -STD- 883C第1.2.2 )
温度范围: -55℃ 〜125℃
AS8F2M32
FL灰
图1 :引脚分配
( TOP VIEW )
68铅CQFP
特点
•为90ns , 120ns的,并且为150ns的快速存取时间
• 5.0V ± 10 % ,单电源操作
•低功耗(典型值): 4μA CMOS待机
*典型ICC (活动) <120毫安读/写
- 20年的数据保存
•最小百万编程/擦除每个扇区周期
保证
每64千字节• 32等于行业
- 任何部门的结合可以被删除
•集团扇区保护
- 支持整片擦除
•兼容JEDEC标准
•嵌入式擦除和编程算法
•数据\\轮询和切换位检测程序或擦除
循环完成。
•擦除暂停/恢复
•硬件复位引脚( RESET \\ )
•内置的去耦电容和多接地引脚为低噪声
手术
•独立的电源层和接地层以提高抗噪性能
概述
奥斯汀半导体公司AS8F2M32是64兆, 5.0电压
只有闪存。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准体系5.0伏的VCC电源。该AS8F2M32
提供为90ns的存取时间,从而允许高速微处理器来
操作无需等待。消除总线竞争,该设备具有
独立的芯片使能( CE \\ ) ,写使能( WE \\)和输出使能( OE \\ )
控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的,稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态匹配的
控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据,并
擦除操作。到达数据移出器件类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将启动嵌入式程序算法 - 内部
算法,该算法自动地计时程序的脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将启动嵌入式擦除算法 - 一个内部算法,
自动preprograms数组(如果它尚未编程)
前执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作是
完全通过观察RY / BY \\针,或通过读取DQ7 ( DATA \\
轮询)和DQ6 (切换)状态位。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
(下转第2页)
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
选项
•时机
90ns
120ns
150ns
•包
陶瓷四方扁平封装( 0.88"平方米)
- 最大高度0.140"
- 防区外高度0.035"分钟
记号
-90
-120
-150
Q
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS8F2M32
修订版2.5 05/09
1
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