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奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
2M ×32的FLASH
闪存模块
作为军事
特定网络阳离子
•用于军事领域( MIL -STD- 883C第1.2.2 )
温度范围: -55℃ 〜125℃
AS8F2M32
FL灰
图1 :引脚分配
( TOP VIEW )
68铅CQFP
特点
•为90ns , 120ns的,并且为150ns的快速存取时间
• 5.0V ± 10 % ,单电源操作
•低功耗(典型值): 4μA CMOS待机
*典型ICC (活动) <120毫安读/写
- 20年的数据保存
•最小百万编程/擦除每个扇区周期
保证
每64千字节• 32等于行业
- 任何部门的结合可以被删除
•集团扇区保护
- 支持整片擦除
•兼容JEDEC标准
•嵌入式擦除和编程算法
•数据\\轮询和切换位检测程序或擦除
循环完成。
•擦除暂停/恢复
•硬件复位引脚( RESET \\ )
•内置的去耦电容和多接地引脚为低噪声
手术
•独立的电源层和接地层以提高抗噪性能
概述
奥斯汀半导体公司AS8F2M32是64兆, 5.0电压
只有闪存。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准体系5.0伏的VCC电源。该AS8F2M32
提供为90ns的存取时间,从而允许高速微处理器来
操作无需等待。消除总线竞争,该设备具有
独立的芯片使能( CE \\ ) ,写使能( WE \\)和输出使能( OE \\ )
控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的,稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态匹配的
控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据,并
擦除操作。到达数据移出器件类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将启动嵌入式程序算法 - 内部
算法,该算法自动地计时程序的脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将启动嵌入式擦除算法 - 一个内部算法,
自动preprograms数组(如果它尚未编程)
前执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作是
完全通过观察RY / BY \\针,或通过读取DQ7 ( DATA \\
轮询)和DQ6 (切换)状态位。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
(下转第2页)
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
选项
•时机
90ns
120ns
150ns
•包
陶瓷四方扁平封装( 0.88"平方米)
- 最大高度0.140"
- 防区外高度0.035"分钟
记号
-90
-120
-150
Q
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS8F2M32
修订版2.5 05/09
1
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
一般说明(续)
扇区擦除架构允许存储扇区被擦除
和重新编程,而不会影响其他部门的数据内容。
从工厂发货时,该设备被完全擦除。
硬件数据保护措施,包括低VCC检测
自动抑制在电源转换写入操作。该
硬件扇区保护功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
通过编程设备来实现。
擦除挂起功能允许用户将擦除搁置
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FL灰
任何一段时间内读取数据的形式,或程序数据,任何扇区
未选择删除。因此,真正的背景擦除可
实现的。
硬件RESET \\销终止正在进行的任何操作
和内部状态机复位到读出阵列的数据。该
RESET \\引脚可以连接到系统的复位电路。系统复位
将因此也复位装置,使系统的微处理器,以
读从Flash存储器的引导固件。
该系统可以将器件置于待机模式。动力
消耗在这种模式下大大降低。
图2 :功能框图
WE
1
\\ CS
1
\
RESET \\
OE \\
A0 - A20
WE
2
\\ CS
2
\
WE
3
\\ CS
3
\
WE
4
\\ CS
4
\
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
引脚说明
I / O
0-31
A
0-20
WE \\
1-4
CS \\
1-4
OE \\
V
CC
GND
RESET \\
描述
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
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绝对最大额定值
*
任何引脚相对于V电压
SS
, V
T**
..............- 2.0V至+ 7.0V
功耗,P
T
...............................................................4W
贮藏温度,T
英镑
..................................- 65 ° C至+ 125°C
短路输出电流I
OS
( 1输出的时间) ...... 100毫安
耐力 - 写/擦除周期
......
.............. 10万分钟周期
数据保留................................................ ................... 20年
AS8F2M32
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*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
一定要绝对最大额定值条件下PE-
riods会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,循环
时间,装载,环境温度和空气流通,湿度
(塑料) 。
电气特性和建议的直流工作条件
( 4.5V VCC < < 5.5V , -55°C <牛逼
A
& LT ; + 125°C )
描述
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
用于读取有功电流
V
CC
有源电流的编程或擦除
V
CC
CMOS待机
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS \\ = V
IL
, OE \\ = V
IH
CS \\ = V
IL
, OE \\ = V
IH
V
CC
= 5.5V ,所有输入@ V
CC
- 0.2V或V
SS
+0.2V,
RESET \\ = CS \\
1-4
= V
CC
-0.2V
V
CC
= 5.5 , CS \\ = V
IH
, RESET \\ = V
CC
± 0.3V , F = 0
I
OL
= 12.0毫安,V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安,V
CC
= 4.5
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
SB
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
0.85× V
CC
3.2
4.2
-10
-10
最大
10
10
160
240
4
8
0.45
单位
µA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5
典型值
5.0
0
---
---
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
电容
(T
A
= +25°C)*
参数
OE \\
WE \\
1-4
CS \\
1-4
数据I / O
地址输入
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0V , F = 1.0 MHz的
条件
最大
50
50
20
20
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
*参数是保证,但未经测试。
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电气特性和推荐AC工作条件
(V
CC
= 5.0V , -55°C <牛逼
A
& LT ; + 125°C )
WE \\控(写/擦除/编程操作)
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
字节Progreamming手术时间
扇区擦除
2
1
参数
符号
-90
最大
-120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
20
-150
单位
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
300
15
0
50
µs
美国证券交易委员会
µs
µs
44
256
10
500
150
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
ns
150
150
55
35
35
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
150
0
50
0
50
0
50
20
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
300
15
0
µs
美国证券交易委员会
µs
44
256
10
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
3
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
44
256
300
15
0
50
44
256
10
500
120
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间
4
5
输出使能保持时间
RESET \\脉冲宽度
t
OEH
t
RP
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
6
6
10
500
90
90
90
40
20
20
0
20
只读操作
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高
t
RC
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
120
120
50
30
30
0
20
120
0
50
0
50
0
50
20
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
输出使能高到输出高
从不会忽略, CS \\或输出保持
OE \\变更,以先到为准
6
t
准备
RST低阅读模式
CS \\控(写/擦除/编程操作)
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
字节Progreamming手术时间
扇区擦除时间
2
1
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
3
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
44
256
300
15
0
44
256
10
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间
4
5
输出使能保持时间
t
OEH
10
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注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
对于T典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T典型值
WHWH2
是1秒。
对芯片编程的典型值是14秒。
芯片擦除时间典型值是32秒。
对于切换的数据查询。
此参数是保证,但未经测试。
AS8F2M32
FL灰
AC测试条件
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
输入兴衰
5
输入和输出参考电平
1.5
输出时序参考电平
1.5
参数
输入脉冲电平
典型值
单位
V
ns
V
V
图3 :交流电流测试
图4 :复位时序图
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