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FL灰
奥斯汀半导体公司
512K ×32的FLASH
引脚分配
闪存阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-94612
MIL-STD-883
快速访问次数: 70 , 90 , 120和为150ns
操作单5V ( ± 10 % )
西塔JC = 1.00 °
C
/w
用户可配置的512Kx32 , 1Mx16 ,或2Mx8
64K字节的每个512Kx8八个相等的部门
兼容JEDEC EEPROM命令集
任何部门的结合可以被删除
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
建于去耦电容的低噪音运行
擦除挂起/恢复功能
单个字节的读/写控制
最低百万编程/擦除每个扇区周期
保证
AS8F512K32
( TOP VIEW )
68铅CQFP (Q & Q1)
特点
66引脚PGA ( P)
选项
定时
70ns
90ns
120ns
150ns
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
标志
-70
-90
-120
-150
Q
Q1
P
702号
904号
概述
奥斯汀半导体公司AS8F512K32是16兆位
CMOS闪存模块组织成512Kx32位。该
AS8F512K32实现高速存取(70至150毫微秒) ,低功耗
消费和高可靠性采用先进的CMOS存储器
技术。
片上状态机控制编程和擦除功能
系统蒸发散。嵌入式字节的程序和部门/芯片擦除功能
全自动的。数据保护领域的任何组合都是accom-
plished使用硬件扇区保护功能。
删除/恢复功能
允许扇区擦除操作
读取数据或程序,以一个非擦除扇区,然后恢复
擦除操作。
设备的操作是通过使用标准命令到所选
使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。该
命令寄存器充当输入到一个内部状态机,它
解释命令,控制擦除和编程操作
系统蒸发散,输出该设备的状态,并存储在输出数据
装置。关于初始上电时的操作,该设备默认为所读取的
模式。
AS8F512K32
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欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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操作
读取模式
一个低逻辑电平信号被施加到CE \\和OE \\销到
读取AS8F512K32的输出。在CE \\是功率控制
和用于设备的选择。
从稳定的写入到有效输出数据的延迟是
地址访问时间( tAVQA ) 。从CE \\延迟等于逻辑
低而稳定的地址有效输出数据是所述芯片烯
能够访问时间( tELQV ) 。输出使能访问时间
( tGLQV )是从OE \\延时=低逻辑来有效的输出数据,
当CE \\ =低逻辑和地址是稳定至少tAVQA-
tGLQV 。
待机模式
ICC电源电流减小对应用高逻辑
在CE \\进入待机模式。在待机状态下,所述
输出被置于高阻抗状态。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择,
该设备将继续吸引有功电流,直到操作
就完成了。
输出禁用
OE \\ = VIL或CE \\ = VIH ,从设备输出禁用
和输出引脚( DQ0 - DQ7 )被放置在高阻抗
ANCE状态。
擦除和编程
擦除和AS8F512K32的编程是accom-
通过写入使用标准命令序列plished
微处理器写时序。该命令被写入到
命令寄存器和输入到命令状态机。
命令状态机解释输入的命令
并启动程序,删除,暂停和恢复运营
作为指示。命令状态机充当接口
写状态机和外部芯片的操作之间的脸
系统蒸发散。写状态机控制所有电压产生,
脉冲产生,预处理CON组和验证
内存的帐篷。程序和块/芯片擦除功能
完全自动的。一旦一个程序的结束或擦除操作
化已达到,该装置内部复位到读
模式。如果Vcc的下降到低于低电压检测电平( VLKO )
中的任何操作中止,设备重置
读取模式。如果一个字节的程序或芯片擦除操作是在
进步,更多的编程/擦除操作被忽略非
直到操作完成。
命令德网络nitions
操作模式是通过编写特定的地址选择
和数据序列到命令寄存器
命令硒
quence表
。该装置将复位,如果一个新断路器阅读模式
矩形地址和数据值,或者将它们写在不正确
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AS8F512K32
序列蒸腾。命令寄存器不填充
可寻址的存储器位置。寄存器用于存储所述
指令序列,随着地址和数据需要的
由存储器阵列。命令写入通过设置CE \\ = VIL
和OE \\ = VIH ,把我们从逻辑高到逻辑低\\ 。 AD-
衣服被锁止在下降沿WE \\和数据
锁存上升沿WE \\ 。拿着WE \\ = VIL和
切换CE \\可作为一种替代方法。
读/复位命令
读/复位模式通过写入任一激活
两个读/复位命令寄存器。该装置保持在这个
模式,直到其他有效的命令序列中的一个被输入
入命令寄存器。存储的数据可以读出与标
在读取模式准微处理器读周期时序。
上电时,该设备将默认为读/复位模式。
读/复位命令序列,如果不要求记忆
数据是可用的。
算法选择命令
该算法选择命令允许访问的二进制
该设备具有适当的编程匹配代码 -
和擦除命令的操作。写三巴后
循环指令序列,该算法- selec-的第一个字节
化代码( 01 )可以从地址XX00读取。第二个
代码( A4 )的字节可以从地址XX01读取。这
模式将一直有效,直到另一个有效的命令序列
被写入到设备。
字节编程命令
字节编程是一个四总线周期的命令序列。
前三个总线周期将设备插入到编程
设置状态。第四总线周期加载地址位置
和数据要被编程到器件中。地址
被锁存的下降沿的WE \\和数据被锁存
在WE的上升沿\\在第四个周期。上升沿
我们的\\启动字节的程序操作。嵌入式
字节编程功能自动提供所需的
电压和时序进行编程和验证电池余量。任何
在节目期间写入设备的进一步的命令
操作将被忽略。
编程可以在任何地址位置被预先
任何顺序。当擦除,所有位都在逻辑状态1逻辑0
被编程到器件中。试图程序逻辑1
成位先前已设定为逻辑0的原因
内部脉冲计数器超过脉冲计数限制。这
设置超过了时序限制指示( DQ5 )到逻辑高状态。
只有擦除操作可以从逻辑0改变位为逻辑1 。
该装置的自动编程过程中的状态
明的操作可以使用完成被监控
数据查询功能,或切换位功能。请参阅“操作
化状态“的完整描述。
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芯片擦除命令
芯片擦除是六总线周期的命令序列。第一
3总线周期将设备插入擦除设置状态。该
接下来的两个总线周期解锁擦除模式。第六总线周期
加载芯片擦除命令。此命令序列
需要,以确保存储器中的内容也不会被擦除
偶然。的WE \\上升沿启动芯片擦除OP-
累加器。在写入设备的任何进一步的命令
芯片擦除操作将被忽略。
嵌入式芯片擦除功能可自动提供
编程和验证所有的存储器所需电压和时序
之前的电擦除单元。然后,它会删除并验证电池
自动保证金。编程的用户不需要
存储器单元在擦除之前。该设备的过程中的地位
自动芯片擦除操作可以完井监视
对您使用的数据查询功能。看到"operation status"
一节完整的说明。
扇区擦除命令
扇区擦除是六总线周期的命令序列。该
前三个总线周期将设备插入擦除设置状态。
接下来的两个总线周期解锁擦除模式。第六巴士
循环加载扇区擦除命令和扇区地址
位置将被擦除。内的任何期望的地址位置
扇区都可以使用。该地址被锁存在下降沿
我们的优势在第六总线周期\\ 。 100毫秒的延迟之后
从上升沿WE \\中,扇区擦除操作开始
在选定的来源。
扇区可被选择为在同时擦除
扇区擦除命令序列。每增加节
器选择擦除,另外总线周期发出。公交车
循环加载下一个扇区的地址位置和所述具有部门
擦除命令。前面的总线的端部之间的时间
周期和下一个总线周期的开始必须小于100
MS-其他明智的,新的扇区位置没有加载。一时间
从最后一个WE \\的上升沿延迟为100毫秒启动
扇区擦除操作。如果有一个下降沿的WE \\内
该100毫秒的时间延迟时,定时器被复位。
一至八个扇区的地址位置可以在任何被加载
顺序。延时定时器的状态可以使用被监控
扇区擦除延迟指标( DQ3 ) 。如果DQ3是逻辑低时,时间
延迟还没有过期。请参阅完整的“运行状态”
说明。
比擦除暂停( B0 )或部门以外的任何命令
擦除( 30 )写入设备的扇区擦除操作时
化使设备退出扇区擦除模式。 CON组
选择擦除扇区(S )的帐篷是无效的。的COM
完整的扇区擦除操作,重新发出扇区擦除的COM
命令。
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嵌入式扇区擦除功能自动
提供电压,编程和验证所有需要计时
前电擦除和再擦除和存储单元
自动验证该电池余量。用户不需要
编程擦除之前存储单元。的状态
自动扇区擦除操作过程中装置可以是MONI-
tored使用数据轮询功能或切换完成
位功能。看到"operation status"部分全额DE-
scription 。
擦除暂停命令
扇区擦除操作可通过使用擦除被中断
暂停命令( B 0 )中,为了从一个不变的读数据
该设备的部门。擦除暂停是一个总线周期的COM
命令。这些地址可以是VIL或VIH和擦除暂停
命令( B0 )被锁定在上升沿WE \\ 。一旦
扇区擦除操作过程中,所述擦除挂起的COM
命令要求内部写状态机停止运转
在预定的破发点。在擦除暂停命令
仅在该扇区擦除操作有效,并且是唯一的有效
在字节编程和芯片擦除操作。该
扇区擦除延时定时器超时后,如果立即擦除,可持
挂起命令发出时的延迟是有效的。
擦除暂停发出后,该装置之间需
0.1毫秒和15毫秒的暂停操作。切换位必须
进行监测,以确定何时暂停已EX-
ecuted 。当触发位停止触发,可以将数据读出
在未选择擦除扇区。请参阅“操作
状态“一节完整的定义。从一扇区读出
标记为擦除可能导致无效的数据。
一旦该扇区擦除操作被暂停,还
在擦除暂停命令写入被忽略。所有的COM
普通话以外擦除暂停( B0 )或擦除恢复( 30H )
在擦除暂停模式的原因写入设备
该设备退出挂起模式。要完成以部门
擦除操作,重新发出扇区擦除命令序列。
擦除恢复命令
在擦除恢复命令( 30H ),重新启动暂停
从那里被叫停完成扇区擦除操作。
擦除恢复是一个总线周期命令。该地址可以
是VIL或VIH和擦除恢复命令( 30H )被锁定
关于上升沿WE \\ 。当擦除暂停/使用擦除
恢复命令组合写入,内部脉冲
计数器(超过时间限制)复位。在擦除恢复的COM
命令只适用于擦除暂停状态。在使用擦除后
恢复命令执行时,设备返回到有效
扇区擦除状态的擦除恢复再写入的COM
要求主要被忽略。之后,该设备已经恢复了以部门
擦除操作,可以发出另一个擦除恢复命令
到设备。
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操作状态标志
1
设备操作
2
字节编程正在进行中
字节编程超出时间限制
字节编程完成
正在进行部门/芯片擦除
行业/芯片擦除超过时间限制
行业/芯片擦除完成
注意事项:
1, T =切换, D =数据, X =数据不确定
2. DQ4 , DQ2 , DQ1 , DQ0是为将来使用而保留的。
状态位定义
在自动嵌入程序的操作和
擦除功能,该装置的状态可由下式确定
阅读指定输出的数据状态。数据轮询
位( DQ7 )和翻转位( DQ6 )需要多次连续的读取
观察在指定的输出状态的变化。
操作状态标志表定义了标志的值
状态。
数据轮询DQ7
数据轮询状态输出该数据的补
锁存到DQ7数据寄存器,而写状态机
是一家从事编程或擦除操作。数据位DQ7升级变更
从补充真荷兰国际集团表示操作的结束。
仅在字节编程数据轮询可用,
芯片擦除,扇区擦除和扇区擦除时间延迟。数据 -
后的上升沿轮询是有效
? W / ë
在最后一个总线周期
命令的顺序装入指令寄存器。
在一个字节编程操作,读DQ7输出
在DQ7数据的补充在SE-被编程
lected地址位置。完成后,读DQ7输出
把装入该程序数据寄存器中的真实DQ7数据。
在擦除操作,读DQ7输出为0。当
完成后,读DQ7还输出一个1 ,数据查询必须
可以在一个新的扇区地址是一个扇区内进行
被删除;否则状态为无效。当使用
数据轮询,地址应始终保持稳定的
操作。
在数据轮询读取,而
? W / ë
为低电平时,数据位DQ7
可以异步改变。根据读出时序,
该系统可以读出上DQ7的有效数据,而其他的DQ引脚
仍然无效。该装置的后续读取是有效的。
数据轮询DQ6
肘节位状态的功能,是对输出数据上
DQ6的切换之间的1和0 ,而写马州
茅根是一家从事编程或擦除操作。当toggle-
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AS8F512K32
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
T
0
X
0
X
X
X
D\
T
1
X
0
X
X
X
D\
D
D
D
D
D
D
D
D
0
T
0
X
1
X
X
X
0
T
1
X
1
X
X
X
1
1
1
1
1
1
1
1
运行状态
位DQ6停止切换后连续两次读取到相同的
地址,则操作完成。肘节位是只
可用的字节编程,芯片擦除期间,和以部门
定时清除延迟。切换位数据是饲养后有效
边缘
? W / ë
在命令序列中的最后一个总线周期
加载到指令寄存器。根据读时序
荷兰国际集团, DQ6可以停止切换,而其他DQ引脚仍然无效。
该装置的后续读取是有效的。
超过时间限制DQ5
编程和擦除操作使用内部脉冲
计数器来限制施加的脉冲数。如果脉冲计数
限被超过, DQ5被设置为1的数据的状态。这表明
编程或擦除操作失败。 DQ7不会改变
从补充数据,以真实的数据和DQ6不会停止
读取时切换。继续运行,该设备必须
复位。
尝试编程逻辑时,会出现这种情况
1状态到比特先前已编程到
逻辑0,仅在擦除操作可以改变位从0到1 。
复位后,该装置是功能性和可擦除和
重新编程。
部门负载定时器DQ3
DQ3是扇区负载计时器状态位它决定是否
时间来加载额外的扇区地址已过期。 DQ3重
干线逻辑低为80
µs
扇区擦除操作完成后
序列。这表明另一个扇区擦除命令SE-
quence能够被发出。如果DQ3处于逻辑高时,表示
延迟已到期,并试图增发以部门
擦除命令将被忽略。
数据轮询位和触发位是在100有效
µs
时间延迟,并可以被用于确定是否一个有效扇区
擦除命令已发出。为了确保更多的部门
擦除命令已被接受, DQ3的地位应
之前和每个附加扇区擦除命令之后被读出。
如果DQ3处于逻辑低两个读取,那么附加的仲
器擦除被接受。
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数据保护
硬件扇区保护功能
此功能禁用编程和擦除操作
系统蒸发散在一个增加到8个扇区的任意组合。命令
编程或擦除受保护的部门不改变数据
中所含的扇区。数据轮询和切换位能操作
吃为2毫秒至100毫秒,然后返回到有效数据。此功能
使用高电压V使能
ID
( 11.5V至12V )上的地址
引脚A9和控制引脚OE \\和V
IL
在控制引脚CE \\ 。
该器件提供了所有部门的保护。
部门无保护模式,可解除保护
部门。
部门保护工作
当我们\\扇区保护模式被激活= V
IH
,
CE \\ = V
IL
和地址引脚A9和控制引脚OE \\被迫
V
ID
。该部门选择地址引脚A18 , A17 , A16和有
用于选择该扇区被保护。地址引脚A0 -A15
和I / O引脚DQ0- DQ7必须是稳定的,并且可以是V
IL
或V
IH
.
一旦该地址是稳定的, WE \\是脉冲的低电平为100毫秒。
在操作上的下降沿开始的WE \\和终止
关于上升沿WE \\ 。
部门保护验证
部门保护验证被激活时,
WE \\ = V
IH
, CE \\ = V
IL
, OE \\ = V
IL
和地址引脚A9为V
ID
.
地址引脚A0和A6被设定为V
IL
和A1被设定为V
IH
.
扇区地址引脚A18 , A17 , A16和选择部门
进行验证。其它地址可以是V
IH
或V
IL
。如果
部门保护,如果选择了DQS的输出O1 。如果该扇区
选择是不受保护的DQS的输出为00 。
界保护,也可以使用该算法 - 验证
选择命令。发出三总线周期命令后
序列中,部门保护状态,可以阅读DQ0 。集
地址引脚A0 = V
IL
, A1 = V
IH
和A6 = V
IL
。扇形
地址引脚A18 , A17 , A16和选择部门进行验证。
剩余的地址被设定为V
IL
。如果选择的部门
受保护的。 DQ0输出一个1状态时,如果所选择的扇区是
未受保护的DQ0输出0的状态。这种模式仍然有效
直到另一个有效的序列被写入到设备。
部门撤消
此前未受保护的部门,所有部门应受到保护
使用部门撤消模式。该机构撤消被激
当我们\\氧基团= ​​V
IH
和控制引脚CE \\ OE \\和地址
引脚A9被迫V
ID
。地址引脚A6 , A12 , A16和有
设定为V
IH
。该部门选择地址引脚A18 , A17 , A16和
可以是V
IL
或V
IH
。这八个行业是不受保护的并行。
一旦投入是稳定的,我们\\是低脉冲持续时间10ms 。该
解除操作上的下降沿开始的WE \\和
终止对上升沿的WE \\ 。
部门撤消验证
在无保护的部门核查被激活时,
WE \\ = V
IH
, OE \\ = V
IL
, CE \\ = V
IL
和地址引脚A9 = V
ID
.
选择部门进行验证。地址A1和A6都设置为
V
IH
和A0到V
IL
。其它地址可以是V
IL
或V
IH
。如果
所选择的扇区进行了保护,所述的DQ输出01 ,如果扇区
选择是不受保护的DQ输出00部门撤消
也可以使用该算法选择命令读取。
低VCC写锁闭
在上电和掉电时,被锁定为V
CC
不到VLKO如果V
CC
& LT ; VLKO ,命令的输入就会显示
禁止时,器件被复位到读模式。上电时,如果
CE \\ = V
IL
我们\\ = V
IL
和OE \\ = V
IH
时,设备不接受
命令在WE的上升沿。该器件automati-
美云电时,在读出模式。
Glitiching
脉冲小于5ns的(典型值)的WE \\ OE \\ ,和CE \\会
不发出一个写周期。
电源的思考
每个设备应具有作为最大值的0.1 μF的陶瓷
电容连接Vcc和Vss之间以抑制电路
噪声。印刷电路走线至Vcc应该有适当
处理当前的需求,并最大限度地减少电感。
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